[其他]绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长无效
| 申请号： | 86100027 | 申请日： | 1986-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN86100027A | 公开（公告）日： | 1987-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杨树人;汤广平;全宝富 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/22 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 杨德胜 |
| 地址： | 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 衬底 混合 双面 硅单晶 生长 | ||
【权利要求书】：
1、一种在绝缘衬底上的硅烧和四氯化硅混合源双面硅单晶生长工艺，其特征在于首先用硅烷淀积硅将绝缘衬底包裹起来，然后将硅烷和四氯化硅按一定比例混合，以氢气为载气进行原位硅单晶生长，并且在双面一次生长完毕。
2、一种按照权利要求1所述的绝缘衬底上的硅单晶生长工艺，其特征在于首先在900℃～1080℃条件对绝缘衬底包裹0.5微米以上的单晶硅，然后在原位进行硅烷和四氯化硅混合源硅单晶生长。
3、一种按照权例要求1和2所述的硅烷和四氯化硅混合源硅单晶生长，其外延生长温度为950～1150℃，混合比例是四氯化硅摩尔浓度/硅烷摩尔浓度＝9/1～1/9。
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