[其他]微细光刻技术无效
| 申请号： | 86101809 | 申请日： | 1986-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN86101809A | 公开（公告）日： | 1987-10-07 |
| 发明（设计）人： | 胡思福 | 申请（专利权）人： | 成都电讯工程学院 |
| 主分类号： | G03F7/02 | 分类号： | G03F7/02 |
| 代理公司： | 成都电讯工程学院专利代理室 | 代理人： | 马新民,詹权松 |
| 地址： | 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微细 光刻 技术 | ||
【权利要求书】：
1、一种微细光刻技术，它是通过平行紫外光透过掩模版，在近场条件下对涂有抗蚀剂的基片曝光，实现图形的加工。其特征在于所述的曝光方法为接近式衍射缩小曝光，掩模版至基片的间隙距离为0～50微米。
2、按照权项1的方法，其特征是：在接近式光学曝光机上实现衍射缩小曝光，掩模版至基片的间隙距离的数值如下
当掩模图形最小线宽为6微米时 间隙距离为30～50微米
当掩模图形最小线宽为4微米时 间隙距离为10～30微米
当掩模图形最小线宽为2微米时 间隙距离为0～10微米
3、按照权项1，其特征在于所述的衍射缩小曝光是：掩模版上的最小线宽图形按1～5倍缩小，其余线宽的图形尺寸按等量缩小，掩模版的设计采用等量缩小规则。
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