[发明专利]旁热式阴极的制造方法无效
| 申请号： | 86101824.9 | 申请日： | 1986-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1004983B | 公开（公告）日： | 1989-08-09 |
| 发明（设计）人： | 小泉幸生 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J9/04 | 分类号： | H01J9/04;H01J1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴增勇 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 旁热式 阴极 制造 方法 | ||
1、旁热式阴极的制造方法，该阴极包括一个含有还原材料的阴极套筒，一个盖-其顶部表面复以电子-发射材料，此盖被固定到所述套筒的一端，以覆盖该端，其特征在于此方法包括以下步骤：
-仅仅在所述阴极套筒的内表面上形成金属氧化物的真空蒸发薄膜;及
-通过所述还原材料还原所述金属氧化物薄膜的加热步骤。
2、由权利要求1限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述还原材料是铬。
3、由权利要求1限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述金属氧化物是氧化钨。
4、由权利要求2限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述金属氧化物是氧化钨。
5、权利要求1限定的旁热式阴极的制造法，其特征在于所述金属氧化物的薄膜厚度为103至105。
6、由权利要求1所限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述加热步骤是制造电子管的加热步骤。
7、旁热式阴极的制造方法，该阴极包括一个含有还原材料的阴极套筒和一个盖-其顶部表面复以电子-发射材料，并由同所述套筒相同的材料制成，与所述套筒制成一体，其特征在于此法包括：
-仅仅在所述阴极套筒的内表面上形成金属氧化物的真空蒸发薄膜的步骤;及
-通过所述还原材料还原所述金属氧化物薄膜的加热步骤。
8、由权利要求7限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述还原材料是铬。
9、由权利要求7限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述金属氧化物是氧化钨。
10、由权利要求8限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述金属氧化物是氧化钨。
11、由权利要求7限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述金属氧化物的薄膜厚度为103至105。
12、由权利要求7所限定的旁热式阴极的制造方法，其特征在于所述加热步骤是制造电子管的加热步骤。
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