[发明专利]形成在绝缘材料上的静电潜象无损读出的方法及装置

权利要求书

1、一读出积累在一绝缘体上电荷的方法，所述绝缘体具有前表面和背面，所述方法的特征在于包括：

a)备有半导体，所述半导体具有前表面和背面，所述半导体在其前表面上有一耗尽层；

b)将所述半导体的前表面对应于所述绝缘体的前表面，以使得在所述半导体中的耗尽层产生变化，所述耗尽层的变化同所述绝缘体上积累的电荷有关，和

c)通过当所述前表面被一束具有适当波长的强度调制光束照射时在所述前表面上测量所述半导体的交流表面光电压来探测积累在半导体上的电荷的数量和位置，所述交流表面光电压的幅值与所积累的电荷有关。

2、一如权利要求2所述的方法，其特征在于探测积累在半导体上的电荷的数量和位置包括：

a）备有参考电极，

b）用能与所述半导体相互作用的光子能量的光照射所述半导体的所述前表面，

c）探测所述参考电极和所述前表面之间产生的电信号。

3、一如权利要求1所述的方法，其特征在于所述光束是扫描光束。

4、一如权利要求3所述的方法，其特征在于所述光束从所述背面向所述半导体照射。

5、一如权利要求3所述的方法，其特征在于所述光束穿过所述参考电极并穿过所述绝缘体向所述前面照射。

6、一如权利要求5所述的方法，其特征在于所述绝缘体是光电导性的。

7、一如权利要求4或6所述的方法，其特征在于进一步包括数字化所产生的电信号。

8、一如权利要求7所述的方法，其特征在于所述积累的电荷是通过辐射形成在所述绝缘体上的。

9、一根据权利要求1所述方法，用于读出一绝缘体上积累的电荷的装置，其特征在于所述装置包括：

a）一置于所述绝缘体的一边并且与其对应靠近的半导体，以使得半导体上感应出的耗尽层与所述绝缘体上积累的电荷有关;

b）位于所述绝缘体另一边的参考电极，

c）用光束对所述半导体扫描的装置，所述光束在所述半导体与所述参考电极间产生相应于所述半导体上感应电荷的电信号，

d）探测上述电信号的装置。

10、一如权利要求9所述的装置，其特征在于所述半导体具有薄片形状。

11、一如权利要求10所述的装置，其特征在于所述半导体具有薄膜形状。

12、一如权利要求11所述的装置，其特征在于所述的半导体和绝缘体都是衬底上的薄膜。

13、一如权利要求12所述的装置，其特征在于通过X射线辐照在所述绝缘体上形成积累电荷。

14、一如权利要求9所述的装置，其特征在于所述半导体上面还有一保护绝缘层。

15、一如权利要求14所述的装置，其特征在于所述半导体还具有在所述保护绝缘层上面的光电导的绝缘体。

16、一如权利要求9所述的装置，其特征在于所述参考电极包括：

a）透明的非导电衬底，

b）所述衬底上大量的由导电材料做成的平行条。

17、一如权利要求9所述的装置，其特征在于所述参考电极包括：

a）透明非导电材料制成的衬底，

b）所述衬底顶部的一层均匀的光电导性绝缘材料，

c）夹在所述衬底与所述光导电性绝缘材料层之间的多个由导电材料制成的平行条。

18、一如权利要求14所述的装置，其特征在于所述参考电极为金属电极，且与所述半导体相分离的。