[其他]制造薄膜线条的工艺

权利要求书

1、利用光刻厚的光致抗蚀剂，并继而电化选择生长金属的技术制造薄膜线条的工艺。其特征在于厚光致抗蚀剂的制备是在一绝缘基片(1)上涂复第一层聚酰亚胺(3a)，接着进行第一次固化，再继以涂复第二层聚酰亚胺(3b)，并接着进行第二次固化。

2、按权利要求1所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于该第一层聚酰亚胺（3a）和第二层聚酰亚胺（3b）形成一均均单一的聚酰亚胺层（3）。

3、按权利要求1所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所述的第一层（3a）和第二层（3b）聚酰亚胺的厚度各为2-5微米，所述的第一次和第二次固化各分为两个阶段，第一阶段为2小时，其中第一层（3a）和第二层（3b）聚酰亚胺的固化温度分别为120℃-150℃，第二阶段为2小时，其中第一层（3a）和第二层（3b）聚酰亚胺的固化温度分别为170-220℃。

4、按权利要求2所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于该聚酰亚胺层（3）的厚度在4至10微米之间。

5、按权利要求2所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于在该聚酰亚胺层（3）上敷盖一金属层（4），在金属层（4）上涂复一层光敏漆（5），该光敏漆层（5）通过使用金属掩膜被紫外光曝光，显影后，出现一些凹座（6），金属层（4）中也得到一些凹座（6）。

6、按权利要求5制造薄膜线条的工艺，其特征在于该凹座（6）的宽度在2至10微米之间。

7、按权利要求5所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于在特定的时间内用氧气等离子体对聚酰亚胺层（3）进行第一次蚀刻。

8、按权利要求7所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的氧气等离子体蚀刻要求在高压和低密度激发能下进行。

9、按权利要求8所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的氧气等离子体的压力在4到8毫巴之间，激发能的密度在2和7瓦/厘米²之间。

10、按权利要求7所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于其中所述的第一次蚀刻时间在5-10分钟之间。

11、按权利要求7所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的对聚酰亚胺层（3）进行干蚀刻所得的那些凹座（6），其壁面（7）几乎是垂直的，并能得到一个在±0.5和±1.0微米之间的公差。

12、按权利要求11所述制造薄膜线条的工艺，其特征在于在该凹座（6）中，电化选择沉积金属线条（8），其壁面（9）几乎是垂直的，所达到的公差仅在0.5和1.0微米之间。

13、按权利要求12所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的线条（8）宽度在2和10微米之间，厚度在3到7微米之间。

14、按权利要求12所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的金属是金。

15、按权利要求12所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的金属是银。

16、按权利要求12所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的金属是铜。

17、按权利要求5或12所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的金属层（4）被除去，并且，聚酰亚胺层（3）在特定的时间内用氧气等离子体进行第二次蚀刻。

18、按权利要求17所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的氧气等离子体蚀刻在高压和低密度激发能下进行。

19、按权利要求18所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的氧气等离子体的压力在4和8毫巴之间，激发能密度在2和7瓦/厘米²之间。

20、按权利要求17所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的第二次蚀刻时间为5至10分钟。

21、按权利要求17所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于在所说的第二次蚀刻以后，继续在一段特定的时间内进行第三次蚀刻，但是要用氩气代替所说的氧气等离子体。

22、按权利要求21所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于氩气替换氧气等离子体是在不撤除真空的条件下进行的。

23、按权利要求21所述的制造薄膜线条的工艺，其特征在于所说的氩气进行的第三次蚀刻，在低压力和高密度的激发能下进行。