[其他]可控硅串联逆变器电路无效
申请号: | 86102497 | 申请日: | 1986-04-07 |
公开(公告)号: | CN86102497A | 公开(公告)日: | 1987-12-16 |
发明(设计)人: | 李少平;李少彤 | 申请(专利权)人: | 李少平 |
主分类号: | H02M7/515 | 分类号: | H02M7/515;H02M7/53 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 河南省郑州市中*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可控硅 串联 逆变器 电路 | ||
1、一种抑制串联逆变器电路中过电压的方法,它以控制串联迥路中电容器上的电压为手段,其特征是:A、由串联迥路中的电容器和附加的一个或数个可控开关组成辅助换流电路。B、利用该电容器上的电压,由辅助换流电路强迫关断正在导通的开关器件,同时,C、直接限制该电容器上电压的增长并将串联迥路里电抗器中多余的能量返回直流电源或作其它用途。
2、一种可控硅串联逆变器电路,它由不对称半桥式可控硅串联逆变电路和附加的可控硅组成。其中,不对称半桥式可控硅串联逆变电路由直流电源1,可控硅2,电容器3,电抗器4,次级带负载6的输出变压器5依次串联联接构成的串联迥路,以及阳极和阴极分别接可控硅2的阴极和直流电源1的负(-)端的可控硅7组成。本发明的特征是:A、附加的可控硅8跨接在电源1的正(+)端和电容器3,电抗器4的公共联接点之间,其阴极接电源1的正(+)端。B、以权利要求1的方法来抑制该可控硅串联逆变器电路中的过电压。
3、根据权利要求1,附加的可控开关可以是可控硅,晶体管或其它具有可控开关功能的组件。
4、根据权利要求1,当由辅助换流电路强迫关断正在导通的开关器件时,电容器上的电压值大于直流电源电压值。
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