[其他]金属—氧化铝—硅结构湿度传感器及其制备工艺

权利要求书

1、一种半导体-氧化物-金属（MOS）型湿度传感器，其中的半导体是Si，氧化物是Al₂O₃，金属采用Cr-Au。本发明的特征在于Al₂O₃为α相，厚度为1500-2200。

2、一种半导体-氧化物-金属（MOS）型湿度传感器的制备方法，包括传统的半导体器件制备工艺中的清洗、光刻、氧化、蒸发、采用酒石酸铵的阳极氧化工艺，本发明的特征在于阳极氧化工艺中，先在酒石酸铵∶乙二醇为1∶1.7～5的溶液中进行室温恒流（1m/cm²）阳极氧化，然后再在重量百分浓度为3%的酒石酸铵溶液中进行恒压阳极氧化，温度30℃，电压60-90V，时间20-50小时，最后，在N₂气流下进行热处理，热处理温度900～1100℃，时间1-2小时。

3、按权利要求2所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于，最佳的热处理温度是1000℃。

4、按权利要求2或3所述的湿度传感器的制备方法，其特征在于热处理除了在N₂流下进行以外也可以在Ar流下进行。