[其他]溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延无效
| 申请号： | 86102688 | 申请日： | 1986-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN86102688A | 公开（公告）日： | 1987-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘明登;汤广平;全宝富 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 杨德胜 |
| 地址： | 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 腐蚀 混合 抑制 掺杂 外延 | ||
【权利要求书】：
1、一种溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延工艺，其特征在于使用了浓硫酸脱水溴抛光，并且在外延生长前对硅衬底实行溴强腐蚀和背面封闭，在外延生长时采用四氯化硅和硅烷混合源外延生长。
2、一种按照权利要求1所述的抑制自掺杂硅外延工艺，其特征在于经氢气携带的溴进入浓硫酸液体后完成脱水。
3、一种按照权利要求1所述的抑制自掺杂硅外延工艺，其特征在于经浓硫酸脱水后的溴在1050℃-1250℃温度下，按照比例 (氢气流量)/(载溴氢气流量) ＝ (15升)/(0.2升) - (15升)/(0.6升) ，对硅衬底实行强腐蚀，使硅衬底背面同时迁移厚度为2微米以上的多晶硅。
4、一种按照权利要求1所述的抑制自掺杂硅外延工艺，其特征在于使四氯化硅和硅烷共同进入外延系统，其摩尔比例为〔SiCl4〕∶〔SiH4〕＝7∶3-3∶7。
5、按照权利要求1和2所述的浓硫酸系指化学纯度为优级纯硫酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
