[发明专利]导电率调制型MOS场效应管的过电流保护电路

权利要求书

1、一种过电流保护电路，包括具有源极、漏极及与产生栅极信号电路的输出端相连的栅极的BIFET;

探测上述BIFET的漏极和源极之间的电压的第一电压探测装置;及

根据上述电压探测装置的输出瞬时地降低上述BIFET的栅极和源极之间的电压并防止上述BIFET的导通事故及导通延迟的主开关装置;

其特征在于上述主开关装置包括：

具有阳极、阴极及栅极，且上述阳极与上述BIFET的栅极相连的半导体闸流管;

与上述半导体闸流管的栅极相连的第一齐纳二极管;

具有与上述半导体闸流管的阴极相连的漏极，与上述BIFET的源极相连的源极，及栅极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）;

连接在上述第一MOSFET的栅极与上述产生栅极信号电路的输出端之间的第一电阻装置，上述第一MOSFET具有栅极电容，该电容与第一电阻装置相结合导致上述第一MOSFET的导通延迟直到上述产生栅极信号电路的上述输出端加有导通信号使上述BIFET导通之后为止。

2、据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征还包括：降低上述BIFET的源极和栅极之间的电压和防止上述BIFET的导通事故或导通延迟的一个次开关装置和为探测上述BIFET的漏极和源极之间电压的一个第二电压探测装置。

3、根据权利要求2所述的过电流保护电路，其特征在于所述次开关装置包括：一个双极型晶体管，它的集电极连接到上述BIFET的栅极上;一个第二齐纳二极管连接在上述双极型晶体管的基极和上述电压探测装置的输出端之间;一个第二MOS场效应管，它的漏极连接到上述双极型晶体管的发射极上，而它的源极连接到上述BIFET的源极上;和一个第二电阻装置，它连接到上述第二MOS场效应管的栅极及栅极电容上。

4、根据权利要求3所述的过电流保护电路，其特征还包括连接在上述第二MOS场效应管的漏极和源极之间、用以防止过电压的一个第三齐纳二极管。

5、根据权利要求3所述的过电流保护电路，其特征在于上述第二电阻装置包括：连接在产生栅极信号电路的输出端和上述第二MOSFET的栅极之间的一个第一电阻。

6、根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征还包括连接在上述第一MOS场效应管的漏极和源极之间为防止过电压的一个第二齐纳二极管。

7、根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于所述的第一电阻装置包括：连接在产生栅极信号电路的输出端和上述第一MOS场效应管的栅极之间的一个电阻。

8、根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征还包括连接在上述BIFET的栅极和上述半导体闸流管的阳极之间的光电耦合器。

9、根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于第一电阻装置和上述第一MOSFET的栅极电容的时间常数选择得使在导通栅极信号没有施加到上述BIFET的栅极期间和在加上导通栅极信号之后及上述BIFET的漏极和源极之间电压与它的栅极上加有导通栅极信号之前的电压相比至少降低百分之十之前的初始导通期间，保持上述第一MOS场效应管处在截止状态。

10、一种过电流保护电路，包括具有源极、漏极及与产生栅极信号电路的输出端相连的栅极的BIFET;

探测上述BIFET的漏极和源极之间的电压的第一电压探测装置;及

根据上述电压探测装置的输出瞬时地降低上述BIFET的栅极和源极之间的电压并防止上述BIFET的导通事故及导通延迟的主开关装置;

其特征在于上述主开关装置包括：

具有源极、漏极及与上述BIFET的源极相连的栅极的第一MOSFET;

连接在上述BIFET的栅极及上述第一MOSFET的漏极之间的第一二极管;

连接在上述第一MOSFET的栅极及上述电压探测装置的输出端之间的第一电阻装置，上述第一MOSFET具有栅极电容，该电容与上述第一电阻装置相结合导致在上述BIFET的漏极电压降低之后上述第一MOSFET的截止上的延迟;及