[其他]导电率调制型MOS场效应管的过电流保护电路

权利要求书

1、一种双极型场效应晶体管(BIFET)的过电流保护电路，BIFET的栅极连接到产生栅极信号电路的输出端，该产生栅极信号的电路包括在BIFET的漏极和源极之间探测电压的第一电压探测电路，其特征在于所述的过电流保护电路还包括降低上述BIFET的栅极和源极之间电压和根据上述电压探测电路的输出来防止上述BIFET的事故或导通延迟的主开关装置。

2、根据权利要求1所述的过电流保护电路，其中所述的主开关装置包括它的阳极连接到上述BIFET的栅极的一个半导体闸流管;连接到上述半导体闸流管的栅极上的一个第一齐纳二极管;一个第一金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它的漏极连接到上述半导体闸流管的阴极，而它的源极是连接到上述BIFET的源极和一个第一延迟装置，该延迟装置连接在上述第一MOSFET的栅极和上述产生栅极信号电路的输出端之间。

3、根据权利要求1所述的过电流保护电路，其中所述的主开关装置包括：一个第一MOS场效应管，它的栅极是连接到上述BIFET的源极上;一个第一二极管连接在第一MOS场效应管的漏极和上述BIFET的栅极之间;第一延迟装置连接在电压探测装置的上述输出端和上述第一MOSFET的栅极之间;和短路装置，该装置在上述产生栅极信号电路的一个输出端的控制下，在上述BIFET的特定初始导通期间和截止期间，在所述电压探测装置输出端之间实行短路。

4、根据权利要求1所述的过电流保护电路，还包括：降低上述BIFET的源极和栅极之间的电压和防止上述BIFET的导通事故或导通延迟的一个次开关装置和为探测上述BIFET的漏极和源极之间电压的一个第二电压探测装置。

5、根据权利要求2所述的过电流保护电路，还包括连接在上述第一MOS场效应管的漏极和源极之间为防止过电压的一个第二齐纳二极管。

6、根据权利要求2所述的过电流保护电路，其中，所述的第一延迟装置包括：连接在产生栅极信号电路的输出端和上述第一MOS场效应管的栅极之间的一个电阻和上述第一MOS场效应管的一个电容。

7、根据权利要求2所述的过电流保护电路，还包括连接在上述BIFET的栅极和上述半导体闸流管的阳极之间的光电耦合器。

8、根据权利要求2所述的过电流保护电路，其中，延迟电路的时间常数选择得使在导通栅极信号没有施加到上述导电率调制型MOS场效应管的栅极期间和在上述导电率调制型MOS场效应管的漏极和源极之间电压与它的栅极上接收到导通栅极信号之前的电压相比至少降低百分之十的初始导通期间，保持上述MOS场效应管处在截止状态。

9、根据权利要求3所述的过电流保护电路，其中所述的短路装置包括：在上述电压探测装置的输出端之间进行短路的一个第二MOS场效应管，一个具有第三MOS场效应管的金属氧化物半导体倒相器（MOS  INVERTER），第三MOS场效应管的漏极被连接到上述第二MOSFET的栅极，一个上述产生栅极信号电路的第二延迟装置的输出端和上述第二MOSFET的栅极。

10、根据权利要求3所述的过电流保护电路，其中第一延迟装置包括一个电阻和与上述电阻并行连接的第二二极管。

11、根据权利要求3所述的过电流保护电路，还包括连接在上述BIFET的栅极和上述第一二极管的阳极之间的一个光电耦合器。

12、根据权利要求4所述的过电流保护电路，其中所述次开关装置包括：一个双极性的晶体管，它的集电极连接到上述BIFET的栅极上;一个第二齐纳二极管连接在上述双极性晶体管的基极和上述电压探测装置的输出端之间;一个第二MOS场效应管，它的漏极是连接到上述双极性晶体管的发射极上，而它的源极是连接到上述BIFET的源极上;和一个第二延迟装置连接到上述第二MOS场效应管的栅极上。

13、根据权利要求9所述的过电流保电路，其中所述的第二延迟装置包括连接在上述产生栅极信号电路的输出端和上述第三MOS场效应管的栅极之间的一个第二电阻，和上述第三MOS场效应管的一个电容。

14、根据权利要求12所述的过电流保护电路，还包括连接在上述第二MOS场效应管的漏极和源极之间、用以防止过电压的一个第三齐纳齐二极管。

15、根据权利要求12所述的过电流保电路，其中，上述第二延迟装置包括：连接在产生栅极信号电路的输出端和MOSFET的栅极之间的一个第一电阻，和上述第二MOSFET的一个电容。