[发明专利]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置

权利要求书

1、具有一个可在一个集成电路中集成的霍尔元件的装置，该霍尔元件具有两个传感器引线接触头和至少两个电流引线接触头。这些引线接触头排列在霍尔元件的表面，其中，至少在霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕和霍尔元件〔22〕的表面之间配置着一个阻挡层〔11或者12、7〕，该阻挡层从上面覆盖着霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕，其特征在于：在霍尔元件〔22〕表面上形成一薄层，该薄层是导电类型为P型的材料，它和霍尔元件〔22〕有源区〔7〕的导电类型正好相反，该薄层具有对环的连接头〔R〕的电接触，而环连接头〔R〕形成霍尔元件〔22〕的一个控制输入端〔M〕。

2、按照权利要求1的装置，其特征在于：阻挡层〔12，7〕是由在霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕与在霍尔元件〔22〕表面上形成的薄层〔12〕之间的交界层形成的，该薄层〔12〕从上面覆盖着有源区〔7〕。

3、按照权利要求1的装置，其特征在于：霍尔元件〔22〕的输出端〔S1〕通过一个调节电路〔24、25、26、27〕和霍尔元件〔22〕控制阻挡层〔11或者12、7〕厚度的控制输入端〔M〕相连接。

4、按照权利要求3的装置，其特征在于：调节电路〔24、25、26、27〕至少由一个实际值整形器〔24〕，一个额定值发生器〔25〕和一个额定值/实测值一微分器〔26、27〕组成。

5、按照权利要求4的装置，其特征在于：实际值整形器〔24〕是一个绝对值形成器。

6、按照权利要求5的装置，其特征在于：实际值整形器〔24〕至少由一个被控制装置〔28〕控制的转换开关〔29〕和一个反相放大器〔30〕组成。

7、按照权利要求6的装置，其特征在于：控制装置〔28〕由一个比较器组成。

8、按照权利要求5的装置，其特征在于：实际值整形器〔24〕由一个整流器组成。

9、按照权利要求4的装置，其特征在于：额定值发生器〔25〕是由一个前置电阻〔R′〕和一个场效应晶体管〔32〕的源-漏区构成的串联电路组成。

10、按照权利要求4的装置，其特征在于：额定值/实际值-微分器〔26、27〕至少由一个差分放大器〔26〕组成。

11、按照权利要求10的装置，其特征在于：差分放大器〔26〕具有两个实际值输入端〔E₁、E₄〕，其中第一个〔E₁〕与实际值整形器〔24〕的输出端相连接，而另一个〔E₄〕与实际值整形器〔24〕的输入端相连接。

12、按照权利要求11的装置，其特征在于：差分放大器〔26〕是作为反相放大器而布置的，并且和它串联了另一个反相放大器〔27〕。

13、按照权利要求1的装置，其中，阻挡层〔11〕是由一个耗尽区形成的，该耗尽区是借助一个电压，通过静电感应产生的，该电压是通过控制门连接头〔G〕施加到导电的控制层〔10〕上的，控制层〔10〕通过在霍尔元件〔22〕表面上的一层氧化层〔9〕而被隔离了，这样，控制层〔10〕以及耗尽层从上面覆盖着霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕;其特征在于：环〔8〕由霍尔元件〔22〕表面上的薄层构成，它至少在侧面围绕着霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕，并且具有连接头〔R〕。

14、按照权利要求2的装置，其特征是：霍尔元件〔22〕的所有电流引线接触头和传感器引线接触头〔1至5〕，其长方形状的方向彼此相同;存在着一个带有环连接头〔R〕的环〔8〕，该环〔8〕至少在侧面围绕着霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕，并和霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕是有着相反导电类型的材料，并通过间隔片〔13、14〕被划分成内环〔Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ〕，间隔片的方向近似垂直于电流引线接触头和传感器引线接触头的纵向，所有这些内环排列成垂直于电流引线接触头和传感器引线接触头〔1至5〕的纵向，它们具有近似相同的宽度并且沿着纵向无相互间的位移，一个叠着一个地排列着，其中二个相邻的内环〔Ⅰ和Ⅱ或者Ⅱ和Ⅲ〕总是具有一个共同的间隔片〔13或者14〕;所有的电流引线接触头和传感器引线接触头〔1至5〕都具有足够的长度，以便将所有被内环〔Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ〕围绕的各层跨接起来。