[其他]用互补型金属氧化物晶体管技术实现的倒相器

权利要求书

1、用CMOS技术实现的倒相器及其所包括的两个晶体管，也就是p沟道晶体管(tp)和n沟道晶体管(tn)。

所述两个晶体管的控制电流通路串联在电压源的正端(vd)和负端(vs)之间，而这两个晶体管的连接点构成倒相器的输出端(ag)，

该n沟道晶体管(tn)的栅极通过第一电容(c1)连接到倒相器输入端(e)，

而该n沟道晶体管(tn)也就是第一电流反映电路(s1)的输出晶体管，

所述倒相器及其所包括的两个晶体管其特征在于以下特点：

该p沟道晶体管(tp)的栅极通过第二电容(c2)连接到倒相器的输入端(e)；

该p沟道晶体管(tp)就是第二电流反映电路(s2)的输出晶体管；

第一电流反映电路(s1)的输出电流和第二电流反映电路(s2)的输出电流根据倒相器的两个输出电平(H，L)，在高值电流和低值电流之间转换，这样，在H电平时，第一电流反映电路(s1)能够有低值电流，在L电平时，(s1)能够有高值电流；而第二电流反映电路(s2)则在H电平时能够有高值电流，在L电平时，能够有低值电流。

第一电流反映电路(s1)的驱动电流(is1)是第三电流反映电路(s3)的输出电流(ia3)，而第三电流反映电路(s3)的驱动电流(is3)又是参考电流反映电路(sr)的第一输出电流(iar1)；

第二电流反映电路(s2)的驱动电流(is2)是参考电流反映电路(sr)的第二输出电流(iar2)，

该n沟道晶体管(tn)的栅极通过第一电阻(r1)连接到第一电流反映电路(s1)的驱动输入端，而p沟道晶体管(tp)的栅极通过第二电阻(r2)连接到第二电流反映电路(s2)的驱动输入端。

2、如权利要求1中要求的倒相器，其特征在于第一和第二电流反映电路（s1，s2）的高电流值等于相应电流反映电路低电流值的二倍，而其它电流反映电路（s3、sr）的所有电流都等于低电流值。

3、如权利要求1或2中所要求的倒相器，其特征在于第一电阻（r1）和第二电阻（r2）分别由附加n沟道晶体管（tr1）和附加p沟道晶体管（tr2）构成，附加n沟道晶体管（tr1）的控制电流通路是第一晶体管（tn）的栅极与第一电流反映电路（s1）之间的连接电路，附加p沟道晶体管（tr2）的控制电流通路是第二晶体管（tp）的栅极与第二电流反映电路（s2）之间的连接电路，最后，这两个附加晶体管的栅极分别连接至电压源的正端vd和负端vs。

4、如权利要求3中所要求的倒相器，其特征在于两个附加晶体管（tr1、tr2）各自的电流通路被与tr1、tr2同导电类型的晶体管（tr1′，tr2′）的并联电流通路分流，差分输出信号（v1）加到n沟道并联晶体管（tr1′）的栅极，而倒相的差分输出信号（V1）则加到p沟道并联晶体管（tr2′）的栅极，而差分时间常数短于所处理的输入脉冲持续时间。

5、如权利要求1至4中的任何一个所要求的倒相器的用法，即倒相器用作作为电压比较器的差分放大器（k）的输出极。