[其他]硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片

权利要求书

1、一种多重吸杂硅片，它具有衬底层[5]，高浓度磷吸杂层[1]，其特征在于多重吸杂硅片还具有多晶吸杂层[3]，高密度缺陷单晶吸杂层[4]，用以增强磷吸杂层[1]及多晶吸杂层[3]的吸杂效果的单晶阻挡层[2]。

2、根据权利要求1所述的多重吸杂硅片，其特征在于多晶吸杂层〔3〕由多晶硅构成，多晶硅厚度为2～6μm。

3、根据权利要求1所述的多重吸杂硅片，其特征在于高密度缺陷单晶吸杂层〔4〕由单晶硅构成，单晶硅厚度为4～15μm，单晶硅层错面密度为1×10⁶～1×10⁷cm^-2。

4、一种用于制备多重吸杂硅片的技术，这种技术具有获得磷吸杂源的高浓度磷扩散技术，其特征在于这种技术还具有外延生长单晶阻挡层〔2〕的技术，外延生长多晶吸杂层〔3〕的技术，外延生长高密度缺陷单晶吸杂层〔4〕的技术。

5、根据权利要求4所述的制备多重吸杂硅片的技术，其特征在于外延生长单晶阻挡层〔2〕的技术是一种单晶硅化学汽相外延技术，本技术中外延温度为1100～1250℃，外延时间为4～15分钟，保护气体总流量为5～18升/分，携带气体流量为1～3升/分。

6、根据权利要求4所述的制备多重吸杂硅片的技术，其特征在于外延生长多晶吸杂层〔3〕的技术是一种多晶硅化学汽相外延技术，本技术中，外延温度为750～1050℃，外延时间为1～7分钟，保护气体总流量为5～18升/分，携带气体流量为0.5～3升/分。

7、根据权利要求4所述的制备多重吸杂硅片的技术，其特征在于外延生长高密度缺陷单晶吸杂层〔4〕的技术是一种单晶硅化学汽相外延技术，本技术中，外延温度为1150～1260℃，外延时间为5～18分钟，保护气体总流量为7～18升/分，携带气体流量为0.5～3升/分。