[其他]带源的氯化物、氢化物系统的多次连续生长装置及其方法无效

专利信息
申请号: 86104675 申请日: 1986-07-10
公开(公告)号: CN86104675A 公开(公告)日: 1988-01-27
发明(设计)人: 杨韧 申请(专利权)人: 杨韧
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 北京市6*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 氯化物 氢化物 系统 多次 连续 生长 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1、带源的氯化物、氢化物系统的多次连续生长装置,为一由细、中、粗三种规格组成的带有磨口的反应管,其上有一个(对氯化物系统)或两个(对氢化物系统)进气管,出气管、逆流气体进入的管,内有源、衬底托、纳污管。其特征为:带有凹槽(32)、下方为园形、上方平面上带有双棱(31)、靠两个密合与反应管结合的下方纳污管,由四条腿(41)、框隔(42)、抽板(44)及其尾部朝上面上的铁芯(45)、直角棱边(46)、“小爪”(47)组成的放在反应管后部的备片架,由直角棱边(21)、托板(22)及封在它朝下面上的铁芯(23)、小勾(24)、“小爪”(25)、拉杆(26)铁芯(27)、(28)组成的可在纳污管上移动的水平衬底托(20);或者由直角棱边(21)、托板(22C)及封在它朝下面上的铁芯(23)、前勾(24E)、后勾(24F)、“小爪”(25)、斜靠板(22D)、拉杆(26)、铁芯(27)、(28)组成的可在纳污管上移动的立式生长衬底托(20B)。反应管上带有凹坑(14)、标尺(48)(29),其外带有线圈(13)(17)。

2、使用如权利要求1所述装置的方法,每片衬底都先气相腐蚀再生长,其特征为在反应稳定进行的条件下,通过磁拉的方法将衬底先拉入微腐蚀区,以利避开衬底升温过程中的瞬态效应,再拉入生长区生长,并通过磁拉实现在反应管内取片和装衬底的多次连续生长。

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