[其他]带液晶的永久性光盘存储器

说明书

本发明涉及一种采用液晶的光盘存储器。该液晶由光分子制成，具有电偶极子密度。

光盘器件中有一种周知的不能再写的数字光盘存储器件，这种存储器件利用激光从不平反射面反射的各项条件进行工作;小型光学唱片就是这种光盘的典型例子。目前都认为，激光的这种应用，不仅对于录音录象之用，而且对于作为信息处理用的光盘存储器在将来是大有前途的。但这种光盘存储器有一个缺点，就是不能再写。因此，过去有一段时间提出要求供应能再写的存储器，而目前这类产品中大家熟知的一种就是磁光存储器件和采用硫族元素（碲族元素）的非晶态半导体式光盘存储元件。

但应用磁光存储器的光盘器件采用稀有材料，价格奇昂，因而人们为这种光盘器件将来能否大量生产而担忧。此外，采用硫族元素非晶态半导体的方法的光控制极为娇嫩。

因此，人们历来都在寻求具有诸如下列特点的存储元件：采用能大批生产的材料制成;便于开关光源;具有永久性;贮存记忆时不消耗外能等。

因此，本发明的一个目的就是提供一种带有液晶的光盘存储器。

本发明的另一个目的是提供一种可消迹（抹去）、可再写的光盘存储器。

本发明的又一个目的是提供一种光盘存储器，借此可设计简单、经济实惠的记录系统。

本发明的又另一个目的是提供一种消迹速度快、书写速度也快的信息记录装置，本发明的另一个目的是提供一种永久性光盘存储器。

为达到上述的和其它目的和优点，本发明人采用了一种液晶，这种液晶与一种装置配合使用时，具有滞后现象。该一种装置是指用以在外电场消除时使液晶在光学特性上有一滞后的装置。利用这种滞后现象制备可以再写的永久性二进制元件。

图1是本发明一个实施例的剖面图。

图2（A）和图2（B）是该实施例的电光特性曲线。

图3是本发明另一个实施例的剖面图。

图4（A）至图4（D）是本发明又另一个实施例的部分剖面图。

现在看看图1中本发明的一个实施例。

第一个系统100用以“读取”信息，第二个系统101用以“书写”信息，第三个系统103用以“抹去”信息。编号10是光盘。

光盘有两个彼此相对设置的盘衬底3和7。其中至少有一个衬底（图中为衬底3）是透光的。两个衬底内各有电极4和6。这里，衬底3上的电极4必须是透光的，衬底7上的电极6必须是反光的。此外，衬底3和7中至少有一个是内侧取向的。衬底3和7的间距为4微米，彼此间用垫片隔开（图中未示出）。衬底3和7之间配置有碟状结构液晶C＊之类的铁电液晶。配置过程是用处于层列相结构A相的热液晶来进行的。这样进行配制时，根据基底的已取向的内表面，铁电液晶分子直线排列，在室温下形成垂直于衬底的许多分子层，且趋向稳定。

密封件30和30′密封光盘的内外周边，封住铁电液晶，使其不与空气接触。光盘10的内周边设有接点32和32′，此二接点从一对电极4和6延伸出来，用以往电极间施加电压。

下面详细介绍光盘的情况：

衬底7用塑料或7059号成形玻璃制成。铝反射电极6是用真空蒸汽沉积法将铝沉积到此衬底上形成的。与电极6相对的电极4则是在塑料或玻璃制成的透明衬底3上形成透光的导电薄膜制成的。透光导电薄膜采用氧化铟锡。电极4内侧用回转喷涂法铺上一层0.1微米厚由聚丙烯腈和聚乙烯醇制成的定向薄膜（图中未示出）。在各电极间加1.5微米厚的铁电液晶5〔例如，S8（辛基羟基苯亚甲基氨基甲基丁基苯甲酸酯）〕。在成对的衬底间插入若干隔片以增强光盘存储器。

在薄膜内表面上进行周知的摩擦处理。例如，令蒙上尼龙薄膜的圆柱体在摩擦装置中以900转/分的速度转动，并在光盘转动的方向上以2米/分的速度移动衬底，使待取向的薄膜表面承受摩擦装置的摩擦处理。在本实施例中，也可用DOBAMBC或多种铁电液晶的混合物代替S8作为充填光盘用的铁电液晶。这方面的例子可见J.W.古德拜等人在一九八四年第五十九卷《铁电体》杂志第126至136页上发表的题为“铁电体开关操作在R-C-3-4-正己基羟基叉4′，-氨基-（2-氯丙基）（innamate（HOBACPC））中的应用”的文章和日本专利公布的昭59-98051和118744号专利申请中。

作为装在光盘中的铁电液晶，采用手性层列相结构液晶C。两衬底3和7之间铁电液晶的分子结构由多个薄层组成，各薄层垂直于衬底3和7。在各层中，液晶分子倾向于以同样的状态排列，即铁电极化P（电偶极矩）垂直于液晶分子的长轴线，且座落在薄片层上。长轴线自然地与薄层的法线成一定的倾斜角。