[发明专利]动能调制热电子晶体管

权利要求书

1、一种热电子晶体管，它包括一个发射极，一个基极和一个集电极，所述基极是一个分别用输入和输出异质结与所述发射极和所述集电极相隔离的基极，其特征是：

所述输入异质结包括一层势垒区，从发射极注入的电子能够籍隧道效应穿过该势垒区，以及一层位于所述势垒区和所述基极之间的电子漂移区。

2、根据权利要求1的热电子晶体管，其特征是：

所述输出异质结包括一层势垒区，以及一层位于所述势垒区和所述集电极之间的电子漂移区。

3、根据权利要求1或2的热电子晶体管，其特征是：

每个所述势垒区包括一个Ga0.65Al0.35As层。

4、根据权利要求1或2的热电子晶体管，其特征是：

每个所述漂移区包括一个掺杂浓度n＝2×10¹⁵cm^-3的GaAs层。

5、根据权利要求3的热电子晶体管，其特征是：

所述输入异质结包括的势垒区的较佳厚度约为50，所述输出异质结包括的势垒区的较佳厚度约为200。

6、根据权利要求4的热电子晶体管，其特征是：

所述输入异质结包括的漂移区的较佳厚度约为1000，所述输出异质结包括的漂移区的较佳厚度约为2000。

7、根据权利要求1或2的热电子晶体管，其特征是：

所述晶体管的非势垒区的材料是具有高电子迁移率，长电子平均自由路径，高电子弹道速率，宽电子禁带和低电子亲合力的材料。

8、根据权利要求7的热电子晶体管，其特征是：

所述晶体管的非势垒区的材料是GaAs。