[其他]在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法

权利要求书

1、一种在半导体材料衬底(3)的接触区(2)上制造电接触的方法，紧靠多晶硅电极层(4)，多晶硅在电极层(4)的接触面(6)与衬底(3)相连接，电极层(4)的边缘至少有一部分在与衬底(3)相连的绝缘的框架形薄层(5)之上，其特征在于：

用电极层(4)做为腐蚀工艺的侧面边界，至少使框架形薄层(5)一部分绝缘和衬底(3)上与其相邻的接触区(2)露出来。

随后在片子露出的表面上淀积一层可以形成金属硅化物的金属层。其厚度小于上述薄层(5)的厚度。

随后适当加热片子，使金属与其下面电极层(4)以及衬底(3)的硅生成金属硅化物，而与绝缘物不起化学反应。

在加热和冷却之后，对没有与硅起反应的金属，用选择性的只溶解该金属的腐蚀剂将其去掉。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：电极层（4）至少部分地覆盖薄层（5）的边缘和其在边缘的斜坡上，形成固态集成电路布线图中带状线部分，在上述带状线上淀积形成硅化物的金属膜。

3、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：与衬底（3）接触的电极层（4）的边缘限定一个区域（7）的接触面（6），该区域在制造电极（4）之前，用薄层（5）作为掩膜部分置入衬底（3）的表面。

4、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：电极层（4）的边缘限定一个区域（7）的接触面（6），在制成掺杂硅的电极层（4）之后，将其作为向衬底（3）上的区域（7）进行扩散的扩散源，利用薄层（5）作为扩散掩膜部分。

5、根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于：上述薄层（5）是衬底（3）进行热氧化制成的，在氧化过程中，区域（7）的接触面（6）是借助氧化掩蔽层（8）保护的。

6、根据权利要求5所述的方法，其特征在于：上述氧化掩膜层（8）的厚度是这样确定的，使上述掩膜（8）被两次注入工艺中的一次穿透，在集成双极型晶体管中注入发射区（7）为界的基区（9），以便在上述发射区（7）下面形成由无源基区（91）与薄的有源基区（92）组成的基区（9）。

7、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，框架形薄层（5）是在一个绝缘层的边缘形成的，该绝缘层的厚度小于上述框架形薄层（5）。