[发明专利]磁阻读出传感器

权利要求书

1、一种磁阻读出传感器组件，具有用磁性材料制成的磁阻导电层薄膜、和磁阻层相连的导电装置、纵向偏置装置和横向偏置装置，上述磁阻导电层具有被中心区域隔开的端区；

其特征在于：

上述纵向偏置装置仅在上述磁阻层的上述端区直接产生纵向偏置磁场，该偏置场的强度足以保持上述磁阻层的上述端区处于单磁畴状态，由此在上述中心区域内感生出单磁畴状态；

上述横向偏置装置至少在上述磁阻层的上述中心区的部分区域内产生横向偏置磁场，该偏置场的强度足以保持上述磁阻层的上述加有横向偏置场的部分处于线性响应工作状态；

上述导电装置在上述中心区域内与上述磁阻层相连接用以限定探测区，从而使连接到导电装置的读出装置能够确定上述磁阻层探测区内电阻的变化，该变化是由上述磁阻层感测到的磁场的函数。

2、权利要求1所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述磁阻层为镍铁（NiFe）。

3、权利要求2所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述磁阻层的厚度范围为200～500埃。

4、权利要求1所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：

上述纵向偏置装置包括仅与上述磁阻层的上述端区直接接触的一个反铁磁性材料薄层，用以通过互调偏置仅在上述端区产生纵向偏置磁场。

5、权利要求4所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述反铁磁性材料薄膜为锰铁（MnFe）。

6、权利要求5所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述反铁磁性材料薄膜的厚度范围为100～500埃。

7、权利要求1所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述导电装置包括相隔一定间距的导电元件，并且上述探测区的范围由上述导电元件的边缘内侧所限定。

8、权利要求1所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述未加纵向磁场偏置的磁阻层的范围、上述探测区，以及至少一部分施加了上述横向偏置磁场的上述中心区的尺寸基本相等。

9、权利要求4所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述横向偏置装置包括向上述导电装置提供偏置电流的装置及一层软磁性材料构成的薄膜，该薄膜平行于上述磁阻层并与之隔开。

10、权利要求9所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述软磁性材料构成的薄膜为镍铁铑（NiFeRh）。

11、权利要求10所述的磁阻读出传感器组件，其特征在于：上述软磁性材料构成的薄膜比上述磁阻层要薄。