[发明专利]密封的电子元件无效
申请号: | 86106280.9 | 申请日: | 1986-09-23 |
公开(公告)号: | CN1016027B | 公开(公告)日: | 1992-03-25 |
发明(设计)人: | I·麦西特·古罗尔 | 申请(专利权)人: | 约翰·弗兰克制造公司 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01C1/02;H05K13/00 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京,杜有文 |
地址: | 美国华盛顿州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封 电子元件 | ||
1、一密封器件,其特征在于它包含:
为在其上支持电子电路提供基体的一块基片;
配置在所述基片上的电子电路;
配置在电子电路上的盖片;
配置在所述熔合到所述盖片和所述基片的电子电路周围以便密封所述电子电路的一玻璃体玻璃密封件,该玻璃体密封件的熔化温度在大约100磅/平方英寸的压力不低于约380℃。
2、根据权利要求1所要求的本发明的密封器件,其特征在于,所述盖片是个玻璃体玻璃,其软化点在上述相同压力下比所述玻璃体玻璃密封件的熔化温度高至少50℃。
3、根据权利要求1所要求的本发明的密封器件,其特征在于,所述玻璃体玻璃盖片对激光频率的光是透明的。
4、根据权利要求2所要求的本发明的密封器件,其特征在于,所述基片选自于由氧化铝、氧化铍、滑石、硅酸铝镁、二氧化钛、碳化硅和锆石组成的一组材料;而所述玻璃体玻璃盖片则是二氧化硅、无水碳酸钠、氧化钙,并与一组由硼、钙、铅、锂、钛和铈所组成的金属氧化物混合的均匀分散混合物。
5、根据权利要求1所要求的本发明的密封器件,其特征在于,所述电子电路是个薄膜电阻元件。
6、根据权利要求2所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述玻璃体玻璃盖片和玻璃体玻璃密封物间,热膨胀系数之差在百万分之二以内。
7、根据权利要求1所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述盖片包含选自于一组由氧化铝、氧化铍、滑石、二氧化钛、硅酸铝镁、碳化硅和锆石所组成的材料的陶瓷。
8、根据权利要求1所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述基片和盖片是相同材料,材料的热膨胀系数在所述玻璃体玻璃密封物的热膨胀系数的百万分之二以内。
9、根据权利要求7所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述玻璃体玻璃密封物是一种二氧化硅、无水碳酸钠、氧化钙,并和之以由硼、钙、沿、锂、钛、和铈所组成的一组金属氧化物混合的均匀分散混合物。
10、根据权利要求1所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述盖片和所述的密封件是同一种材料。
11、根据权利要求1所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述玻璃体玻璃密封物在大致200磅/平方英寸的压力下的熔化温度在370℃和375℃之间。
12、根据权利要求1所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述盖片是一种在大致200磅/平方英寸的压力下,具有高于420℃的软化温度的玻璃体玻璃。
13、根据权利要求2所要求的本发明密封器件,其特征在于,所述玻璃体玻璃盖片是一种硼硅玻璃,对激光频率的光是透明的。
14、根据权利要求2所述的密封器件,其特征在于,所述电子电路是个在380℃以上的温度下必然会变得不稳定的电阻元件。
15、密封器件的制造方法,其特征在于包含以下工序:
配备一基片;
在所述基片上配置电子电路元件;
在高于大约100磅/平方英寸的压力下低于约380℃的密封温度下用玻璃体封焊玻璃将一盖片熔合到所述基片上。
16、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述盖片使用玻璃体玻璃盖片。
17、根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述玻璃体封焊玻璃的各圆角边与所述基片和盖片接触。
18、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,包括以下工序:
(a)在熔化玻璃体封焊玻璃以后,在100℃和200℃之间的温度烘电子电路和基片以稳定电子电路;
(b)在烘烤以后,用激光微调电子电路。
19、根据权利要求15所述的方法,其特征在于,用把玻璃体封焊玻璃,按2∶1至9∶1范围内的玻璃对粘合剂/稀释剂总重量的份量比值(其中所述粘合剂对稀释剂总重量的份量比值在1∶25至1∶250的范围内)用约165目6密尔厚的网,网印到电子电路和基片上去的方法来完成涂敷。
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