[发明专利]半导体器件的高氧含量硅单晶基片制法

权利要求书

1、一种制备高氧含量硅基片的生产方法，包括提拉法生长硅单晶，硅单晶切片抛磨及热处理，其中，生长时的步骤包括将硅装入坩埚后加热，采用上端渐缩的加热器，加热器渐缩部分横截面积小于其它部分，从而使硅表面供给的热量多于熔硅的其余部分，还包括进一步使坩埚转动的措施，转速可控制，以便调节硅晶体中的氧含量，以约1.5-2.1毫米/分的高拉速生长，使硅基片的氧含量大于或等于1.8×10¹⁸_个/厘米³。

2、一种用来生长高氧含量的用作半导体器件的硅基片原材料的硅单晶的设备，包括：

一个装硅用的坩埚，

一个加热器，用以加热该硅，使该硅保持呈流态，该加热器供给足够的热量，以防止该熔硅表面固化，加热器上端有一渐缩部分，该渐缩部分的横截面积小于其它部分的横截面积，该加热器供给该熔硅表面的热量，比给该熔硅其它部分的热量多;以及

一个引拉装置，用来以相当高的速度由该坩埚的熔硅中引拉该硅单晶，为的是防止在以后制备上述半导体器件工艺的热处理期间，硅基片中的氧含量降低，

其中该硅单晶的所述拉速为1.5毫米/分至2.1毫米/分;硅基片的所述氧含量大于或等于1.8×10¹⁸个/厘米³;

其中该坩埚的驱动装置可使该坩埚以可变速度转动，以便可以调节该硅基片中的所述氧含量。