[其他]半导体器件的高氧含量硅单晶基片及其制法

权利要求书

1、一种含有相当高氧含量，可供半导体器件用的硅基片的生产方法，包括从下的工序：

以相当高的生长速度，从熔硅生长硅单晶，所选的生长速度可以在以后的生产该半导体器件的热处理过程中，防止氧由硅单晶中离析，以及

由该硅单晶制成所述的硅基片。

2、按照上述权利要求1中的方法，其中该硅单晶的所述生长速度大于或等于1.2毫米/分。

3、按照上述权利要求1中的方法，其中该硅基片的所述氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³。

4、按照上述权利要求2中的方法，其中该硅基片的所述氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³。

5、按照上述权利要求2中的方法，其中该硅单晶的所述生长速度最好在大约1.5毫米/分至2.1毫米/分的范围内。

6、按照上述权利要求1中的方法，其中该硅单晶的生长工序包括下述几个步骤：

将硅装入坩埚;

加热该硅，使该硅保持于流动态;以及

从上述坩埚的熔硅中逐渐拉制出所述硅单晶。

7、按照上述权利要求6中的方法，其中所述的加热该硅的步骤中，向它所供的热量足以避免该硅表面固化。

8、按照上述权利要求6中的方法，其中所述的加热该硅的步骤中，对上述硅表面供给的热量比给该熔硅其余部分的热量多。

9、按照上述权利要求6中的方法，它还包括向该硅施加磁场的措施。

10、按照上述权利要求6中的方法，它还进一步包括使该坩埚转动的措施。

11、按照上述权利要求10中的方法，其中该坩埚的转速可以控制，以便调节该硅基片中的氧含量。

12、一种用来生长含有相当高氧含量的用作半导体器件的硅基片原材料的硅单晶的设备，包括：

一个坩埚，用以装硅，

一个加热器，用以加热该硅，使该硅保持呈流态，以及

一个引拉装置，用来以相当高的速度由该坩埚的熔硅中引拉该硅单晶，为的是防止在以后制备上述半导体器件工艺的热处理期间，硅基片中的氧含量降低。

13、按照上述权利要求12中的设备，其中该硅单晶的所述拉速大于或等于1.2毫米/分。

14、按照上述权利要求13中的设备，其中该硅基片的所述氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³。

15、按照上述权利要求13中的设备，其中该硅单晶的生长速度，最好是在大约1.5毫米/分至2.1毫米/分的范围内。

16、按照上述权利要求12中的设备，其中该加热器供给足够的热量，以防止该熔硅表面固化。

17、按照上述权利要求16中的设备，其中该加热器供给该熔硅表面的热量，比给该硅其它部分的热量多。

18、按照上述权利要求12中的设备，它还包括给该熔硅施加磁场的装置。

19、按照上述权利要求12中的设备，它还包括使该坩埚转动的驱动装置。

20、按照上述权利要求19中的设备，其中该坩埚的驱动装置可使该坩埚以可变速度转动，以便可以调节该硅基片中的所述氧含量。

21、一个由硅基片制成的半导体器件，该硅基片的氧含量大于或等于1.8×10¹⁸/厘米³，其漏泄电流值小于1×10^-10安培。

22、一种生产含有高氧含量硅基片的方法，包括以下工序：

以显著加速的生长速度，从熔硅中生长硅单晶的工序，取此速度以减少随后热处理期间形成的缺陷数，因此抑制了晶体中氧的离析，同时增加了晶体中的氧含量，藉此降低漏泄电流，上述加速的生长速度与所述增加的氧含量有关，以及

由该硅单晶制成该硅晶片的工序。

23、按照上述权利要求22中的方法，其中所述的加速生长速度至少为1.2毫米/分，而氧含量至少为1.8×10¹⁸/厘米³。