[其他]半导体器件

权利要求书

1、一半导体器件包括一个含有非晶半导体Pin型层或niP型层及至少两个电极，其特征在于，至少一个界面层是由半导体构成，或由具有比邻接界面层的半导体的电阻率高的半导体或绝缘体构成，该界面层是处于半导体层之间或处于半导体和电极之间。

2、根据权利要求1的器件，其中界面层是形成在P型半导体和i型半导体之间和/或形成在n型半导体和i型半导体之间。

3、根据权利要求1的器件，其中界面层形成在一种导电型的半导体和电极之间。

4、根据权利要求1的器件，其中的界面层是从Si₁-xCx：X：Y，Si₁-xNx：X：Y和Si₁-xOx：X：Y（其中x满足O＜X＜1的关系;x是H、Cl、F或Br、Y是H、Cl、F或Br）的一族中选择的。

5、根据权利要求1的器件，其中界面层是Si₁-xCx：H（其中x满足0＜X＜1的关系）。

6、根据权利要求1的器件，其中界面层至少有一个是形成在与含有非晶半导体的P型层相邻接。

7、根据权利要求1的器件，其中界面层形成在为P型和i型含有非晶的半导体层之间。

8、根据权利要求1到7的任何器件，其中界面层的厚度是10到500。

9、一半导体器件包括一个含有非晶半导体的Pin型层或niP型层和至少两个电极，其特征在于，在P型或n型层中的掺杂量在P/i或n/i的结界面上最小，而在趋向于P/电极或n/电极的界面的方向上逐渐增加。

10、根据权利要求9的器件，其中至少P型层和n型层中之一是a-SiC：H层。

11、根据权利要求9的器件，其中至少P型层和n型层中之一是a-Si：H层。

12、根据权利要求9的器件，其中掺杂量在趋向于P/电极或n/电极的界面的方向上逐渐上升，在P型或n型层中的这部分离P/i或n/i的结界面至少有20厚。

13、根据权利要求9的器件，其中掺杂量在趋向于P/电极或n/电极的界面的方向上逐渐上升，在P型或n型层中的这部分离P/i或n/i的结界面至少有100厚。

14、根据权利要求9到11的任何一个器件，其中P型层中的掺杂剂是从B、Al、Ga、In和Tl的族中选取的元素。

15、根据权利要求9到11的任何一个器件，其中n型层中的掺杂剂是从N、P、As、Sb、Te和Po族中选取的元素。

16、一半导体器件包括含有非晶半导体的niP型层或Pin型层及至少两个电极，其特征在于至少一个半导体层（1）与邻接的半导体层（Ⅱ）是同一导电型，并具有较高的杂质密度，和处于半导体层（Ⅱ）和电极之间。

17、根据权利要求16的器件，其中的导电型是P型和/或是n型。

18、根据权利要求17的器件，其中半导体层（Ⅰ）的厚度是10到300。

19、根据权利要求15的器件，其中P型和/或n型半导体层（Ⅰ）包括-a-SiC：H。

20、根据权利要求17和19的任何一个器件，其中P型及或n型半导体（Ⅰ）层包括-a-Si。

21、根据权利要求17到19的任何一个器件，其中高掺杂密度的P型半导体层和n型半导体层（Ⅰ）的掺杂密度是半导体层（Ⅱ）的两倍或更多倍。

22、根据权利要求17到19的任何一个器件，其中高掺杂密度的半导体层（Ⅰ）的掺杂密度是半导体层（Ⅱ）的4倍或更多倍。