[发明专利]超高频中功率负载及其对制造工艺的改进

说明书

本发明涉及一种卡片式等效负载，特别涉及一种超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载。

本发明还涉及一种在制造该超高频中功率负载工艺中的经改进的封装方法。

众所周知在先有技术中，等效负载被广泛地应用在广播通讯领域中。一般小功率的等效负载采用吸收式原理制成，也有用棒形电阻制成的中功率等效负载，这类负载所承受的功率都较小，体积大，使用时必须用风扇强制冷却，噪声大，国内产品一般功率都做不大。国外所使用的等效负载，其衰减片一旦镀制上衰减材料后，就无法再进行阻抗的调整，因而对其制作精度及衰减材料的要求很高。这类衰减片都是用精密加工，精密配合，嵌入式的封装方法加以固定。一旦产品定型，就无法进行再调节，对产品的一次合格率要求非常高，从而导致了这类产品的价格很昂贵。

本发明的目的在于提供一种能对卡片式衰减片进行阻抗再调整的超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载。

本发明的另一个目的在于提供一种在制造该超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载工艺中的经改进的封装方法。

本发明的另一个目的在于提供一种带有功率指示、可用作天线假负载的超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载。

根据本发明，一个超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载，包括一个同轴传输内导体，多个散热片、一个绝热过渡传输线，一个功率输入接头和衰减片，本发明的特征在于该同轴传输内导体上安置有多个散热片，一个高频功率输入接头固定在该同轴传输内导体的一端，高频功率输入接头的另一端延伸进入该内导体中，与位于该内导体中的绝热过渡传输线的一端相接触，绝热过渡传输线用于绝热并用于阻抗匹配，其另一端与卡片式衰减片相接触，在该卡片式衰减片上溅射有用于衰减功率的复合阻抗材料。

根据本发明，在制造该超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载工艺中的经改进的封装方法，其特征在于先用酒精清洗该卡片式衰减片，然后用红外灯或烘箱加温，同时再加直流电压。用低温银浆把该卡片式衰减片烧结在同轴传输内导传中。

本发明的优点在于解决了功率在衰减片上所受负荷的不均匀问题。根据本发明制造的超高频（VHF）中功率（P≤120w）负载，体积小，不用风冷，它可以在下列条件下工作：

1）频率范围：10兆赫～250兆赫（MHZ）

2）输入阻抗：50欧（Ω）

3）额定功率：P≤120瓦（w）

4）电压驻波比：S≤1.22

5）功率示值误差：≤10%（在P-120瓦时）

6）环境要求：当温度为40℃、负载功率为120瓦时，连续工作4小时以上，极间温度≤70℃。

本发明的具体特征、制造工艺以及其它的目的，并从而具有的优点，可以从附图及相应描述的根据本发明的实施例中清楚地体现出来，其中：

图1是根据本发明显示其整体内部结构的截面图;

图2是根据本发明中功率卡片式负载衰减片的结构示意图;

图3是根据本发明的制造超高频（VHF）中功率

（P≤120w）负载的工艺流程图。

在图1中，散热片4由垫圈3隔开一片片地安置在同轴传输内导体6上，这样散热片4之间有一定距离的间隔，以便使散热片4达到充分散热的目的。在同轴传输内导体6的一端安置有一个一端延伸进该同轴传输内导体6的高频输入接头2，其另一端可以与输入功率信号端相连接，本实施例中高频输入接头2为上海无线电十六厂的产品。隔着云母片，延伸进该同轴传输内导体6中的高频输入接头2的一端与绝热过渡传输线10的一端相连接，该绝热过渡传输线10的基体由氧化钛介质（ε＝6）制成，在其基片的正反两面都溅射有合金导带，其目的在于把热量隔阻在高频输入接头2处，同时又使中功率信号通过该绝热过渡传输线10，该绝热过渡传输线10的镀银带线的阻抗设计可由下列算式导出：

Z＝Z′/ε……（1）

Z′＝120πh/ω……（2）

ε＝ε/2′ε/2（1+10h/ω）……（3）

式中：Z为特性阻抗，一般为50欧（Ω），

h为基体厚度，一般为2毫米（mm），

ω为绝热过渡传输线10的宽度。