[其他]整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，其特征在于，这种半导体器件包括：

一层半导体层；

该半导体层的电极，所说的电极是透明的；和

一个防止半导体层中出现的缝隙形成短路路径的绝缘体。

2、权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的缝隙是一个针孔。

3、权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的绝缘体是一种有机树脂。

4、权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的透明电极由ITO、In₂O₃、SnO₂或ITN制成。

5、权利要求4的半导体器件，其特征在于，所说的透明电极敷有一层金属层。

6、权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的金属层由铝、铬或银制成。

7、权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的器件是一种光电器件。

8、权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的器件是一种光发射器件。

9、权利要求8的半导体器件，其特征在于，所说的器件具有超点阵结构。

10、一种加工半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：

制备半导体层的工序

用可进行光固化处理的树脂堵塞半导体层上缝隙的工序;

用垂直于半导体层的光照射半导体层的工序;

除去所说的在所说的缝隙外面的树脂但使该缝隙中的残留树脂保持原状的工序;和

在半导体层上制备电极的工序。

11、权利要求10的方法，其特征在于，该方法还包括往半导体层上加反向电压的工序。

12、权利要求10的方法，其特征在于，所说的施加反向电压的工序是在高温下进行的。

13、权利要求11的方法，其特征在于，所说的反向电压小于半导体层的击穿电压。

14、权利要求12的方法，其特征在于，所说的温度选用不致使半导体层特性退化的不太高的温度。

15、权利要求13的方法，其特征在于，所说的半导体器件包括多个彼此串联联接的电池。

16、权利要求14的方法，其特征在于，所说的施加反向电压的工序采用一个电压源和多个彼此串联联接的齐纳二极管进行，加到各电池的反向电压分别引自二极管。

17、一种固化处理半导体器件上半导体缺陷的方法，该半导体器件具有多个半导体元件，各半导体元件中有半导体结，该方法的特征包括：

制备彼此串联联接的多个齐纳二极管的工序;

使其中一个所说齐纳二极管的阳极与各所说半导体元件接触的工序;

往多个齐纳二极管上施加反向偏压的工序，齐纳电压和该反偏压选用使对应于各半导体元件的齐纳二极管的齐纳电压低于相应半导体元件的击穿电压的电压值。

18、权利要求17的方法，其特征在于，所说半导体器件是一种太阳能电池。

19、权利要求18的方法，其特征在于，所说的半导体元件包括一层半导体层和一层敷在该半导体层的透明氧化物电极。

20、为一种具有多个半导体元件（各半导体元件中有半导体结）的半导体器件用的半导体缺陷固化处理装置，该装置的特征包括：

多个彼此串联联接的齐纳二极管;

多个适宜使一个所说的齐纳二极管的阳极与各所说的半导体元件接触用的触点;

一个给多个齐纳二极管供应反偏压用的电压源，齐纳电压和反偏压这样选择，使对应于各半导体元件的齐纳二极管的齐纳电压低于对应半导体元件的击穿电压。