[其他]利用磁场的微波增强型化学气相淀积系统和方法无效
| 申请号： | 86106620 | 申请日： | 1986-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN86106620A | 公开（公告）日： | 1987-07-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴增勇,吴秉芬 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 磁场 微波 增强 化学 气相淀积 系统 方法 | ||
1、微波增强型CVD(化学汽相淀积)系统，特征在于包括：
-一个CVD装置，其由一个反应室、用于将生产气体引入所述反应室的装置、用于提供能量的装置(这种能量是为在反应室内实现淀积反应所必需的)及用于抽空所述反应室的装置所组成；和
-一个生产气体增强装置，它包括一个增强室、用于对所述增强室的内部提供磁场的装置，用于将微波发送到所述增强室内的装置和用于将生产气体引入所述增强室的装置，
所述反应室和所述增强室处于彼此保持联系中。
2、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述反应室和所述增强室彼此直接相连，以使由谐振激活的生产气体能大量地进入所述反应室的内部。
3、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述增强室是从所述反应室伸出。
4、根据权利要求3的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述增强室是一个大体上垂直于所述反应室的伸出表面的圆筒。
5、根据权利要求4的微波增强型CVD系统，特征在于还包括一个均质器，该均质器装在所述增强室的谐振区和所述反应室的反应发生区之间。
6、根据权利要求5的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述生产气体的引入装置备有多个出口，从所述均质器看去，这些出口被置于下部。
7、根据权利要求5的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述均质器是一块具有许多孔的平板。
8、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述CVD装置是一个辉光放电的CVD系统。
9、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述CVD装置是一个光学增强型CVD系统。
10、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述要引到所述谐振腔内的生产气体包括惰性气体。
11、根据权利要求10的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述惰性气体是氩气。
12、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中待淀积的基材是一种非晶半导体。
13、根据权利要求12的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述非晶半导体是非晶硅。
14、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述被引入到所述反应室的生产气体是一种氢化物。
15、根据权利要求1的微波增强型CVD系统，特征在于其中所述生产气体是一种氟水物。
16、使用权利要求1的微波增强型CVD系统的淀积方法，特征在于其中对于要进行沉积的基体在沉积前，进行光学表面处理。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
