[其他]强腐蚀性设备用的电沉积厚玻璃涂层无效
申请号: | 86106859 | 申请日: | 1986-10-10 |
公开(公告)号: | CN86106859A | 公开(公告)日: | 1987-04-08 |
发明(设计)人: | 约翰·巴特勒·惠特利;威廉·W·卡特 | 申请(专利权)人: | 肯纳科特公司 |
主分类号: | C23D5/00 | 分类号: | C23D5/00;C25D13/02 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 杨松坚,卢新华 |
地址: | 美国俄亥俄州克利夫兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 腐蚀性 备用 沉积 玻璃 涂层 | ||
1、一种在一基体上形成能经受高负荷的涂层的方法,它包括下列各工序:制备一种玻璃态底涂层的稀料浆和一种玻璃态表面覆盖涂层的稀料浆,将底涂层的稀料浆电沉积至基体上以制备涂有底涂层的基体,将表面覆盖涂层的稀料浆电沉积至这个已涂有底涂层的基体上,以制备涂有表面覆盖涂层和底涂层的基体,将上述已涂层的基体进行焙烧以制得一种最终的焙烧过的耐腐蚀的涂层,其厚度为至少20密耳,此涂层是实质上无缺陷的。
2、按照权利要求1中的方法,其中的基体是导电性的,并包括这样的工序:只用一次焙烧工序来形成最终的焙烧过的涂层,此底涂层和表面覆盖涂层所具有的焙烧温度是实质上相同的。
3、按照权利要求2中的方法,它包括下述工序:将未粘住的底涂层和表面覆盖涂层的稀料浆从基体上除去,以及在焙烧之前将已涂覆的基体进行干燥。
4、按照权利要求2中的方法,其中包括形成一层最终焙烧的厚度为约20至约85密耳的玻璃态涂层工序,该涂层具有这样的耐腐蚀性,即按照ISO2743的方法进行测试,将此涂层暴露于沸腾的20%盐酸溶液中,所造成的涂层腐蚀损失为小于20密耳/年。
5、按照权利要求2中的方法,它包括制备具有低导电性的底涂层和表面覆盖涂层的稀料浆的工序。
6、按照权利要求5中的方法,其中所述的稀料浆具有的导电性为低于约3000微姆欧/厘米。
7、按照权利要求5中的方法,它包括制备分别含有底涂层玻璃料和表面覆盖涂层玻璃料的底涂层和表面覆盖涂层稀料浆的工序。
8、按照权利要求7中的方法,其中的含玻璃料的底涂层稀料浆和含玻璃料的表面覆盖涂层稀料浆都是实质上不含无机电解质的。
9、按照权利要求8中的方法,它包括这样的工序:制备一种底涂层稀料浆和一种表面覆盖涂层稀料浆,其中,底涂层稀料浆中的底涂层玻璃料的熔化温度,比表面覆盖涂层稀料浆中的表面覆盖涂层玻璃料的熔化温度,比表面覆盖涂层稀料浆中的表面覆盖涂层玻璃料的熔化温度低至少50°F。
10、按照权利要求9中的方法,它包括这样的工序:制备所述的底涂层稀料浆,其中加有足够数量的耐火碾磨添加物,以防止在焙烧工序的过程中产生凹凸缺陷。
11、按照权利要求10中的方法,它包括一个焙烧周期,焙烧周期包括先将已涂有底涂层和表面覆盖涂层的基体在底涂层玻璃料的熔化温度下加热足够长的时间,以使基体同底涂层之间的反应基本上进行完全,然后将焙烧温度升高至表面覆盖涂层玻璃料的熔化温度。
12、按照权利要求2中的方法,它包括用电泳沉积方法将稀料浆沉积至工件上的工序。
13、按照权利要求12中的方法,其中底涂层稀料浆的电泳沉积的操作条件是所加电压为约30至约100伏,电流密度为约10至约30安培/英尺2基体。
14、按照权利要求13中的方法,它包括表面覆盖涂层稀料浆的沉积工序,其所加电压为约20至约60伏,电流密度为约5至20安培/英尺2基体。
15、按照权利要求2中的方法,它包括这样的工序:在焙烧工序之前将一层最终的釉面层涂在已涂有表面覆盖涂层的基体上面。
16、按照权利要求2中的方法,它包括下述各工序:电沉积一种含玻璃的、低氧化硅的底涂层稀料浆,电沉积一种含玻璃的表面覆盖涂层稀料浆,后者含有一种包含硅酸铝和硅酸锂的析出的结晶相,将已涂层的基体干燥,再进行焙烧。
17、按照权利要求2中的方法,它包括这样的工序:制备所述的料浆,至少其中的一种是加有填充料的。
18、按照权利要求17中的方法,其中所加的填充料有足够的数量,以提高最终的焙烧涂层的冲击强度,增加其导热性或增加其导电性。
19、一种涂有耐腐蚀的玻璃态涂层的基体,它包括一个金属基体和在该基体的至少一个表面上的一层厚度为至少20密耳的玻璃态涂层,该玻璃态涂层包含数层非均质的层,但已熔化成为一体化的复合物形式的结构,它同基体结成整体,该涂层是实质上无缺陷的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肯纳科特公司,未经肯纳科特公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/86106859/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。