[发明专利]形成沉积薄膜的方法

权利要求书

1、一种在反应区基底上形成沉积膜的方法，该方法包括：

把形成沉积膜的气态原料(a)，对该气态原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)(b)和气态氧型或氮型氧化剂(ON)(C)导入反应区，使之形成混合物并且有效地化学接触以形成包括处于激发态的多种中间体，其中所述的气态原料与气态氧化剂的比例为1∶100至100∶1，气态卤素氧化剂与气态氧型或氮型氧化剂的比例为1000∶1至1∶50；和

采用至少一种所述的作为沉积膜组成元素供应源的中间体，通过导气管道系统，在所述反应区的基底上形成沉积膜，所述基底的温度在成膜期间为室温至650℃，所述的导气管道系统包括许多同轴排列的管道(每个管道具有一个出口)，其中一个传送所述气态卤素氧化剂的外管，至少一个传送所述气态原料的内管和至少一个传送氧化剂的内管，所述的同轴排列的管道延伸至成膜区，使内管出口位于外管出口后面，使外管中的气态卤素氧化剂包围存在于内管中的气态原料，所述基底位于外管出口的5毫米～15厘米处。

2、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是链硅烷类化合物。

3、按照权利要求2的形成沉积膜的方法，其中所说的链硅烷类化合物是直链硅烷类化合物。

4、按照权利要求3的形成沉积膜的方法，其中所说的直链硅烷类化合物可用通式Si_nH_2n+2表示，式中n是整数1-8。

5、按照权利要求2的形成沉积膜的方法，其中所说的链硅烷类化合物是支链硅烷类化合物。

6、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是具有硅环结构的硅烷类化合物。

7、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是链状锗化合物。

8、按照权利要求7的形成沉积膜的方法，其中所说的链状锗化合物可用通式Ge_mH_2m+2表示，式中m是整数1-5。

9、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是氢化锡类化合物。

10、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是四面体型化合物。

11、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态氧化剂（ON）是氧的化合物。

12、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态氧化剂（ON）是氧气。

13、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态氧化剂（ON）是氮的化合物。

14、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的基底应置于与气态原料和气态氧化剂（ON）导入反应区的方向相对的位置上。

15、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中气态原料和气态氧化剂（ON）是通过多管式结构的导气管导入反应区。

16、一种在反应区基底上形成沉积膜的方法，其中包括：

把形成沉积膜的气态原料（a），对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂（X）（b）、气态氧型或氮型氧化剂（ON）（C）和含有作为价电子控制剂的要素的组分的气态材料（D）（d）导入反应区，使之混合并且有效地化学接触以形成包括处于激发态的多种中间体，其中所述的气态原料与气态氧化剂的比例为1∶100至100∶1，气态卤素氧化剂与气态氧型或氮型氧化剂的比例为1000∶1至1∶50;和

采用至少一种所述的作为沉积膜组成元素供应源的中间体，通过导气管道系统，在所述的反应区基底上形成沉积膜，所述基底的温度在成膜期间为室温至650℃，所述的导气管道系统包括许多同轴排列的管道（每个管道具有一个出口），其中一个传送气态卤素氧化剂的外管，至少一个传送气态原料的内管，至少一个传送氧化剂的内管和至少一个传送价电子控制剂的内管，所述的同轴排列的管道延伸至成膜区，使内管出口位于外管出口的后面，以使外管中的气态卤素氧化剂包围内管中的气态原料，所述的基底位于外管出口的5毫米至15厘米处。

17、按照权利要求16的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是链硅烷类化合物。

18、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中所说的链硅烷类化合物是直链硅烷类化合物。