[其他]形成沉积薄膜的方法

权利要求书

1、一种形成沉积膜的方法，该方法包括把形成沉积膜的气态原料、对该气态原料具有氧化作用的气态囟素氧化剂(X)和具有同样性质的气态氧型和氮型氧化剂中至少一种氧化剂(ON)导入反应区，使它们有效地化学接触以形成包括处于激发态的多种中间体，这些中间体中的至少一种作为沉积膜组成元素的供应源，在置于成膜区中的基底上形成沉积膜。

2、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，在淀积膜形成时有荧光发生。

3、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是链硅烷类化合物。

4、按照权利要求3的形成沉积膜的方法，其中所说的链硅烷类化合物是直链硅烷类化合物。

5、按照权利要求4的形成沉积膜的方法，其中所说的直链硅烷类化合物可用通式Si_nH_2n+2表示，式中n是整数1-8。

6、按照权利要求3的形成沉积膜的方法，其中所说的链硅烷类化合物是支链硅烷类化合物。

7、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是具有硅环结构的硅烷类化合物。

8、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是链状锗化合物。

9、按照权利要求8的形成沉积膜的方法，其中所说的链状锗化合物可用通式Ge_mH_2m+2表示，式中m是整数1-5。

10、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是氢化锡类化合物。

11、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是四体型化合物。

12、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态氧化剂（ON）是氧的化合物。

13、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态氧化剂（ON）是氧气。

14、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的气态氧化剂（ON）是氮的化合物。

15、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中所说的基底应置于与气态原料和气态氧化剂（ON）导入反应区的方向相对的位置上。

16、按照权利要求1的形成沉积膜的方法，其中气态原料和气态氧化剂（ON）是通过多管式结构的导气管导入反应区。

17、一种形成沉积膜的方法，该方法包括把形成沉积膜的气态原料，对该原料具有氧化作用的气态囟素氧化剂（X），至少一种气态氧型和氮型氧化剂（ON）和含有作为价电子控制剂的要素的组分的气态材料（D）导入反应区，使它们有效地化学接触以形成包括处于激发态中间体的多种中间体，然后应用这些中间体中的至少一种作为沉积膜组成元素的供应源，在置于成膜区的基底上形成沉积膜。

18、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中，在沉积膜形成时有荧光发生。

19、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是链硅烷类化合物。

20、按照权利要求19的形成沉积膜的方法，其中所说的链硅烷类化合物是直链硅烷类化合物。

21、按照权利要求20的形成沉积膜的方法，其中所说的直链烷烃类化合物可用通式Si_nH_2n+2表示，式中n是整数1-8。

22、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中所说的链硅烷类化合物是支链硅烷类化合物。

23、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是有硅环结构的硅烷类化合物。

24、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是链状锗化合物。

25、按照权利要求24的形成沉积膜的方法，其中所说的链状锗化合物可以用通式Ge_mH_2m+2表示，式中m是整数1-5。

26、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料含有氢化锡类化合物。

27、按照权利要求17的形成沉积膜的方法，其中所说的气态原料是四面体型化合物。