[发明专利]光接收元件无效

专利信息
申请号: 86107571.4 申请日: 1986-10-17
公开(公告)号: CN1012762B 公开(公告)日: 1991-06-05
发明(设计)人: 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G5/082 分类号: G03G5/082
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘建国
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 接收 元件
【权利要求书】:

1、一种光接收元件,包括一个基底和一个位于所述基底表面上的光接收层,该光接收层具有一个由非晶材料组成的光敏层和一个表面层,该非晶材料包含硅原子并且至少包含或者锗原子或者锡原子,所说的表面层具有多层结构,其特征在于所说的基底具有由球形凹痕构成的不平整表面,并且该多层结构至少具有最外层的耐磨层和内层的防反射层。

2、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,表面层由非晶材料构成,该非晶材料包含硅原子和选自氧原子、碳原子、氮原子中的至少一种原子。

3、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,组成表面层的是选自无机氟化物、无机氧化物和无机硫化物中的至少一种。

4、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层包含选自氧原子、碳原子和氮原子中的至少一种原子。

5、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层包含从元素周期表第Ⅲ族和第Ⅴ族元素中选出的控制导电率的元素的原子。

6、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层具有多层结构。

7、一种如权利要求4所限定的光接收元件,其中,光敏层具有一层电荷注入阻止层作为组合层中的一层,所说电荷注入阻止层包含从元素周期表第Ⅲ族和第Ⅴ族元素中选出的控制导电率的元素的原子。

8、一种如权利要求4所限定的光接收元件,其中,光敏层具有一层势垒层作为组合层中的一层。

9、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,基底表面的不平整面是由具有相同曲率半径的球形凹痕构成的。

10、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,基底表面的不平整面是由具有相同曲率半径和深度的球形凹痕构成的。

11、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,基底表面的不平整面是由许多真实刚性球自然地落在基底表面上形成的。

12、一种如权利要求4所限定的光接收元件,其中,基底表面的不平整面是由直径几乎相同的真实刚性球自几乎相同的高度上自然地落在基底表面上形成的。

13、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,球形凹痕的曲率半径R和深度满足以下方程式:

0.035≤ (D)/(R)

14、一种如权利要求13所限定的光接收元件,其中,球形凹痕的宽度小于500μm。

15、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,基底是一个金属体。

16、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层包含氢原子的原子百分比为1%到40%。

17、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层包含卤素原子的原子百分比为1%到40%。

18、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层包含氢原子和卤素原子的总数的原子百分比为1%到40%。

19、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层的厚度是1到100微米。

20、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层包含在厚度方向上以不均匀状态分布的锗原子。

21、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,光敏层包含在厚度方向上以不均匀状态分布的锡原子。

22、一种如权利要求1所限定的光接收元件,其中,表面层包含从氧原子、碳原子和氮原子中选出的至少一种原子,其原子百分比为0.001%到90%。

23、一种如权利要求5所限定的光接收元件,其中,所述控制导电率的物质的原子浓度在1×10-3ppm到1×103ppm的范围内。

24、一种如权利要求5所限定的光接收元件,其中所述控制导电率的物质在光敏层与基底接触的层区域部分中以均匀状态分布的原子浓度从30ppm到5×104ppm。

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