[其他]半导体器件的制造方法和系统

权利要求书

1、一台制作半导体器件的系统包括：

第一CVD系统，具有在其内可进行CVD工艺的第一反应室；第二CVD系统，具有在其内可进行微波增强CVD工艺的第二反应室，所说的第一和第二反应室可以互相连通；

固定基片的基片夹持器；

和传递装置，用来把夹持器从所说的第一反应室内部在密封条件下传递到所说的第二反应室之内。

2、根据权利要求1的一台制作半导体器件的系统还包括第三CVD系统，具有在其内可进行CVD工艺的第三反应室，所说的第二和第三反应室可以在密封条件下互相连通。

3、根据权利要求2的一台制作半导体器件的系统，其中所说的第一CVD系统适于进行P型半导体层的淀积;所说的第二CVD系统适于进行Ⅰ型半导体层的淀积;而所说的第三CVD系统适于进行N型半导体层的淀积。

4、根据权利要求1的一台制作半导体器件的系统进一步包括一个可把第一和第二反应室分隔开的闸门阀。

5、根据权利要求1所述的一台制作半导体器件的系统，其中所说的夹持器被做成可夹持基片的衬套形。

6、根据权利要求5所述的一台制作半导体器件的系统，当所说的夹持器处于所说的反应室室内时，其中所说的衬套形的夹持器大致把所说的夹持器限制在进行CVD化学反应的反应区域之中。

7、根据权利要求1所述的一台制作半导体器件的系统，其中所说的微波增强CVD系统是ECR系统和CVD系统的联合系统。

8、根据权利要求7所述的一台制作半导体器件的系统，其中所说的第一个CVD系统是辉光放电CVD系统。

9、根据权利要求7所述的一台制作半导体器件的系统，其中所说的第一个CVD系统是光增强CVD系统。

10、根据权利要求3所述的一台制作半导体器件的系统，其中所说的这样形成的层是一个太阳电池。

11、一种制作半导体器件的方法包括：

一个把基片固定在基片夹持器上的步骤;

一个把所说的夹持器放置在第一反应室内的步骤;

一个在所说的第一反应室内进行第一CVD工艺的步骤;

一个不使所说的基片接触大气，将所说的夹持器从第一反应室传递到第二反应室的步骤;

和一个在所说的第二反应室内进行第二个用微波增强的化学反应的步骤。

12、根据权利要求11的方法还包括：

一个不使所说的基片接触大气，将所说的夹持器从第二反应室传递到第三反应室的步骤;

和一个在所说的第三反应室内进行第三个化学反应室的步骤。

13、根据权利要求12的方法，其中所说的第一、第二和第三化学反应分别根据淀积P型、I型和N型半导体的条件进行。

14、根据权利要求12的方法，其中所说的第一、第二和第三化学反应分别按淀积N型、I型和P型半导体的条件进行。

15、根据权利要求13的方法，其中所说的P型、I型和N型半导体集积构成一个太阳电池。

16、根据权利要求11的方法，其中所说的第二化学反应是得到硅化物气体，锗化合物气体、锡化合物气体或碳化物气体的充分供应的。