[其他]掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法

权利要求书

1、一种生产固体摄像器的方法，其特征包括下列步骤：

从非掺杂硅熔体生长一种有相当高电阻率的P型硅单晶；

从所说硅单晶形成一硅圆片，并用中子辐射至所说硅圆片上，以形成比所说硅单晶的电阻率小的n型硅衬底；以及

在所说衬底上形成有多个光敏元件和移位寄存器的所说固体摄像器。

2、如权利要求1中所提出的方法，其特征在于，所说的非掺杂硅熔体被盛在用加热装置加热的石英坩埚里，而且所说硅单晶是从所说非掺杂硅熔体拉制得到的。

3、如权利要求2中所提出的方法，其特征在于，在所说硅单晶生长过程期间，所说坩埚盛有熔进所说非掺杂硅熔体的硼，以形成所说P型硅单晶。

4、如权利要求3中所提出的方法，其特征在于，生长所说P型硅单晶的所说生长步骤，包括控制在所说硅熔体中所说硼的熔化率和控制所说硅熔体中氧浓度的步骤。

5、如权利要求4中所提出的方法，其特征在于，控制所说硼和氧的溶化率的步骤是通过控制环绕所说坩埚的磁场强度来进行的。

6、如权利要求5中所提出的方法，其特征在于，在所说硅熔体中所说硼的熔化率和氧的浓度还通过调整所说坩埚的转速来加以控制。

7、如权利要求1中所提出的方法，其特征在于，所说P型硅圆片有一个高于100欧姆-厘米的电阻率。

8、如权利要求7中所提出的方法，其特征在于，所说硅衬底的电阻率是在10欧姆-厘米至100欧姆-厘米的范围内。

9、如权利要求8中所提出的方法，其特征在于，所说P型硅单晶的所说电阻率最好在680欧姆-厘米至1180欧姆-厘米的范围内，而且所说硅衬底的电阻率在40欧姆-厘米至50欧姆-厘米的范围内。

10、如权利要求1中所提出的方法，其特征在于，用中子辐射的所说步骤在所说硅衬底中形成均匀分布的磷。

11、一种生产硅衬底的方法，其特征包括以下步骤：

在石英制成的可旋转坩埚中装入一种非掺杂的硅熔体;

围绕所说坩埚形成一磁场;

将所说坩埚的转速控制在预定的速率;

提拉所说硅熔体，使之固化以形成P型硅单晶;

从所说硅单晶形成硅圆片;以及

将中子辐射到所说硅圆片上以获得n型硅衬底。

12、如权利要求11中所提出的方法，其特征在于，所说坩埚的转速要调整得能控制所说硅单晶的电阻率大于100欧姆-厘米。

13、如权利要求12中所提出的方法，其特征在于，所说坩埚的转速要调整得能控制氧的浓度在2×10¹⁷至2×10¹⁸原子/厘米³范围内的。

14、如权利要求13中所提出的方法，其特征在于，用中子辐射到所说硅圆片上而得到的所说n型硅衬底有一个10欧姆-厘米至100欧姆-厘米的电阻率。

15、如权利要求11中所提出的方法，其特征在于，在所说硅单晶生长步骤中，盛在所说石英坩埚里的硼熔入所说硅熔体而作为P型杂质。

16、如权利要求15中所提出的方法，其特征在于，调整所说坩埚的转速以控制熔入所说硅熔体的硼的数量。

17、如权利要求16中所提出的方法，其特征在于，调整所说坩埚的转速以控制熔入所说硅熔体的硼的数量，使得硅单晶具有一个大于100欧姆-厘米的电阻率。

18、如权利要求17中所提出的方法，其特征在于，所说硅单晶的电阻率最好在680欧姆-厘米至1180欧姆-厘米的范围内。

19、如权利要求17中所提出的方法，其特征在于，用中子辐射到所说硅圆片上而得到的所说硅衬底具有10欧姆-厘米至100欧姆-厘米范围的电阻率。

20、如权利要求18中所提出的方法，其特征在于，用中子辐射到所说硅圆片上而得到的所说硅衬底具有40欧姆-厘米至50欧姆-厘米范围的电阻率。

21、如权利要求11中所提出的方法，其特征在于，在所说用中子辐射的步骤中，在所说硅圆片中形成磷以制出n型硅衬底。