[其他]应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法

权利要求书

1、用选择性刻蚀在基底中制做窗口的方法，它包括用反应离子刻蚀侧壁技术在基底上形成台面的步骤，其特征在于下列步骤：

将膜层淀积在所述基底的顶部和所述台面的顶部，而不淀积在所述台面的侧壁上;

用有选择性腐蚀所述台面的侧壁而不腐蚀所述膜层的方法，将所述台面及其顶部的所述膜层完全除去，这样，所述膜层便只保留在除所述台面之外的位置的基底顶部上;

用膜层作为刻蚀掩模，有选择地刻蚀所述基底，由此形成所述窗口。

2、权利要求1所述的方法，其中，所述的基底是用各向异性刻蚀工艺有选择地被刻蚀的。

3、权利要求2所述的方法，其中，所述膜层是RIE掩模材料层，而所述基底是用反应离子刻蚀工艺被有选择地刻蚀的。

4、权利要求3所述的方法，其中，所述膜层是蒸发上的MgO。

5、权利要求3所述的方法，其中，所述膜层是蒸发上的多晶硅。

6、权利要求1所述的方法，其中，所述台面的顶部在淀积所述膜层之前从下挖去。

7、权利要求1所述的方法，其中，所述基底的层结构的最下层是，在外延硅材料上形成的掺杂的多晶硅材料。

8、权利要求7所述的方法，其中，所述最下层为P⁺型掺杂层，而所述的材料是N^-型掺杂材料。

9、权利要求1所述的方法，其中，所述膜层是用蒸发方法淀积而成的。

10、权利要求1所述的方法，其中，所述台面的侧壁是用各向同性的腐蚀剂有选择地被腐蚀的。