[其他]线性厚膜负温度系数热敏电阻器无效
申请号: | 86108011 | 申请日: | 1986-11-15 |
公开(公告)号: | CN86108011B | 公开(公告)日: | 1988-10-26 |
发明(设计)人: | 熊世英 | 申请(专利权)人: | 国营宏明无线电器材厂 |
主分类号: | H01C7/04 | 分类号: | H01C7/04;H01C7/00 |
代理公司: | 成都专利事务所 | 代理人: | 溶兰 |
地址: | 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 厚膜负 温度 系数 热敏 电阻器 | ||
1、一个负温度系数厚膜热敏电阻器,包括一个瓷基片、一个印刷于瓷基片上的热敏电阻器,一对电极和外部连接引线,其特征在于:
a、在同一块瓷基片的正面和反面,分别印刷第一个热敏电阻M1与第二个热敏电阻M2,此两个热敏电阻都是负温度系数热敏电阻器。将第一个热敏电阻M1与第二个热敏电阻M2串联。M1与M2串联时,合成电阻值RM为两个热敏电阻电阻值之和。
RM=RM1+RM2
其中RM:合成电阻器的电阻值。
RM1:第一个热敏电阻M1的电阻值。
RM2:第二个热敏电阻M2的电阻值。
b、先在瓷基片上印刷M1电阻,其阻值比为R25/R50=1.22±2%,R25=5000Ω±2%。
R25为温度为25℃时,M1的零功率电阻值
R50的温度为50℃时,M1的零功率电阻值
c、然后印制M2电阻,印制M2电阻的方法为在M1电阻的线性温度区域Tp~TQ内,使RM2T<εRT,并保持在转折点TQ处的阻值RM2Q≤0.1%RTQ,在M1电阻的低温段非线性温度区域TP~TQ内,使M2电阻的阻值RM2T≈0.1%RT,调节M2电阻的阻值,使其在全温区中的△B值≤±5%。在M1电阻的高温段非线性温度区域TQ~TH内,使M2电阻的阻值RM2T≤0.1%RT。
2、根据权利要求1所述的厚膜热敏电阻器,其特征为第一个热敏电阻M1的浆料由CoNi(1-X)Mn(1+X)O4基料、RuO2导电玻璃、Ag粉以及玻璃粘合剂组成,其中X=0.35~0.55,此浆料中热敏基料:导电玻璃:粘合剂玻璃(重量比)为
100∶(20~30)∶(30~40)
导电玻璃中RuO2的含量为15~25%,Ag粉的加入量为RuO2的10~30%
3、根据权利要求1所述的厚膜热敏电阻器,其特征为第二个热敏电阻M2的浆料由MnCu(1-X)Co(1+X)O4基料,(X值取0.5~0.9),以及RuO2、Ag粉和玻璃粘合剂所组成,其中RuO2/Ag=1(重量比),浆料B=3400°K。
4、根据权利要求1所述的厚膜热敏电阻器,其特征为瓷基片长5mm,宽3mm,厚0.6mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国营宏明无线电器材厂,未经国营宏明无线电器材厂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/86108011/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。