[发明专利]垂直倒相器电路无效
申请号: | 86108046.7 | 申请日: | 1986-10-28 |
公开(公告)号: | CN1007478B | 公开(公告)日: | 1990-04-04 |
发明(设计)人: | 阿什温·H·萨;巴拉布·K·查特尔基 | 申请(专利权)人: | 得克萨斯仪器公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 冯晓明,魏文忠 |
地址: | 美国得克萨*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 倒相器 电路 | ||
1、一种逻辑门,本发明的特征在于,该逻辑门包括:
一个第一倒相器,它具有一个和一第一输入节点相连接的输入导线,一个第一电源接线,一个和一第一电势相连的第二电源线,以及一个和一输出节点相连接的输出导线;
一个第二倒相器,它具有一个和一第二输入节点相连接的输入接线,一个未加连接的第一电源线,一个和一第一电势相连的第二电源线,以及一个和一输出节点相连接的输出导线;
一个第三倒相器,它具有一个和所述第二输入节点相连的输入导线,一个和一第二电势相连的第一电源线,一个和一第一电势相连的第二电源线,以及一个和所述第一倒相器的所述第一电源线相连接的输出导线。
2、根据权利要求1所述的逻辑门,其特征在于,它具有形成在第一导电类型的衬底上的所述倒相器,所述倒相器包括:
一个第二导电类型的第一沟道层,它形成在所述衬底表面上;
一个所述第一导电类型的第一漏极层,它形成在所述第一沟道层的表面上;
一个所述第二导电类型的第二漏极层,它形成在所述第一漏极层的表面上;
一个所述第一导电类型的第二沟道层,它形成在所述第二漏极层的表面上;
一个所述第二导电类型的源极层,它形成在所述第二沟道层的表面上;
一个导电栅极,垂直地布置在一个边缘上,该边缘与所述第一和第二沟道层、所述第一和第二漏极层以及所述源极层的平面相垂直并与各该层相邻,其中所述栅极和所述各层相绝缘。
一个和所述第一和第二漏极层相连接的导电区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的