[发明专利]半导体电路不稳定性解决效率提高无效
申请号: | 86108332.6 | 申请日: | 1986-12-06 |
公开(公告)号: | CN1003755B | 公开(公告)日: | 1989-03-29 |
发明(设计)人: | 汪克明 | 申请(专利权)人: | 汪克明 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/343;H03F3/04;H03F1/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 贵州省贵阳市*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 电路 不稳定性 解决 效率 提高 | ||
1、在半导体电子技术中,一种具有特性稳定,效率高的半导体电路是:
1.晶体管电路是在晶体管发射结加正偏置电压,偏置电压电路中串接正向偏置的二极管D1或负温度系数的热敏电阻,其特征是:
a、二极管D1或热敏电阻与晶体管管温相同。
b、二极管D1或热敏电阻的电压降,在晶体管集电极电流流通角大于和等于180°的电路中,近似等于晶体管发射结内建场电压;在晶体管集电极电流流通角小于180°的电路中,低于晶体管发射结内建场电压。
c、晶体管偏置电压与晶体管发射结内建场电压之差,近似等于与温度变化无关的常数。
d、在晶体管集电极电流流通角等于和小于180°的电路中,输入信号电压与偏置电压成叠加的加到晶体管发射结上。
e、在晶体管集电极电流流通角等于和小于180°的电路中,在晶体管的偏置电压点,加接反向偏置的二极管D2。
f、晶体管发射极电阻RE的阻值可取任意值,甚至为零。
2.二极管电路,其特征是:
a、在二极管的正极或负极电路中,串接正温度系数的热敏电阻。
b、热敏电阻与二极管管温相同。
c、热敏电阻的电压降近似等于二极管内建场电压。
2、根据权利要求一的1所述之电路,正向偏置的二极管D1或热敏电阻固定在晶体管的外壳或散热片上,或集成在紧靠晶体管的同一基片上,其特征是:使二极管D1或热敏电阻取得与晶体管相同的管温。
3、根据权利要求一的1所述之电路,其特征是:调整偏置电压电路中的电阻值或调整偏置电流,使正向偏置二极管D1或热敏电阻上的电压降,近似等于或小于晶体管发射结内建场电压。
4、根据权利要求一的2所述之电路,其特征是热敏电阻固定在二极管的外壳或散热片上,使热敏电阻取得与二极管相同的管温。
5、根据权利要求一的2所述之电路,其特征是:调整热敏电阻的阻值,使热敏电阻的电压降,近似等于二极管内建场电压。
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