[其他]光电动势元件及其制备工艺和设备

权利要求书

1、一种改进的光电动势元件，包括用于光电动势元件的具有导电表面的基底、置于该基底的该导电表面上的光电转换层以及置于该光电转换层上的导电层，该光电转换层是用下述方法形成的，即使(i)能够作为上述要沉积的层的一个组分，但只要其保持在它原有的能态，就不能或几乎不能有助于形成上述层的一种气态物质，和(ii)一种具有用电子学方法使物质(i)氧化的性质的气态物质分别通过各自的气体传送空间进入一个膜形成空间，在该膜形成空间中放置上述基底，同时保持在预定的温度，使物质(i)和(ii)在没有等离子体的情况下在该基底表面上部的空间相互进行化学接触从而产生含有受激先质(precursors)的多种先质，并使这些先质的至少一种形成上述膜。

2、根据权利要求1的一种改进的光电动势元件，其中气态物质（ⅰ）包含提供p型杂质或n型杂质的原料材料。

3、根据权利要求1的一种改进的光电动势元件，其中光电转换层有许多层，这些层是由包含硅原子的非单晶材料和选自氢原子和氦原子中的至少一种原子构成的。

4、根据权利要求3的一种改进的光电动势元件，其中多层光电转换层是由一层P型半导体层，一层i型半导体层和一层n型半导体层构成的。

5、根据权利要求4的一种改进的光电动势元件，其中置于光入射一侧的p型半导体层或n型半导体层的层区域，包含从氧原子、碳原子和氮原子中选出的至少一种原子，并且具有宽的带隙。

6、根据权利要求4的一种改进的光电动势元件，其中i型半导体层是具有多重带隙的层。

7、一种制备改进的光电动势元件的方法，该元件包括用于光电动势元件的具有导电表面的基底、置于该基底的该导电表面上的光电转换层以及置于该光电转换层上的导电层，该方法包括：

使（ⅰ）能够作为上述要沉积的层的一个组分，但只要其保持在它原有的能态，就不能或几乎不能有助于形成上述层的一种气态物质和（ⅱ）一种具有用电子学方法使物质（ⅰ）氧化的性质的气态物质，分别通过各自的气体传送空间进入一个膜形成空间，在该膜形成空间中放置上述基底，同时保持在预定的温度;

使物质（ⅰ）和（ⅱ）在没有等离子体的情况下在该基底表面上部的空间相互进行化学接触，从而产生含有受激先质（precur-sors）的多种先质，并使这些先质的至少一种在该基底的该导电表面上形成上述层。

8、根据权利要求7的一种制备改进的光电动势元件的方法，其中气态物质（ⅰ）包含硅原子。

9、根据权利要求7的一种制备改进的光电动势元件的方法，其中气态物质（ⅰ）包含硅原子以及或者一种用于提供P型杂质的化学元素或者一种用于提供n型杂质的化学元件。

10、根据权利要求7的一种制备改进的光电动势元件的方法，其中气态物质（ⅱ）是选自以下一组中的一种或多种成分：卤素气体、新生态卤素、含氧原子的气体、含碳原子的气体以及含氮原子的气体。

11、根据权利要求7的一种制备改进的光电动势元件的方法，其中物质（ⅰ）和（ⅱ）的化学接触以及光电转换层的形成，是在出现发光（luminescence）现象的气氛中完成的。

12、一种制备改进的光电动势元件的装置，包括：具有膜形成空间的反应室、通过该反应室的上壁伸进膜形成空间的供气装置、配置在该反应室底部的抽气装置以及安装在该反应室中的基底支撑装置，上述供气装置具有（a）传输用于形成沉积膜的气态物质（ⅰ）的管道，以及（b）传输气态电子氧化剂（ⅱ）的管道，该管道的放置使得物质（ⅰ）和氧化剂（ⅱ）能够进入基底表面之上的空间，并且它们可以在没有等离子体的情况下相互进行化学接触，从而产生含有受激光质的多种先质，并使这些光质的至少一种在该基底上形成沉积膜。

13、根据权利要求12的一种制备改进的光电动势元件的装置，其中供气装置是一种同轴三重管道。

14、根据权利要求12的一种制备改进的电动势元件的装置，其中管道（a）和管道（b）的出口面对基底的表面放置。

15、根据权利要求12的一种制备改进的光电动势元件的装置，其中同轴三重管道具有其端部朝向基底表面开口的三个出口，中间的出口装在最深的凹进部分，由其它两个出口包围，以形成一个或者圆形或者圆锥梯形的空间，作为反应区。