[发明专利]含有球形凹痕基底表面的无定型硅多层光敏元件无效

专利信息
申请号: 86108488.8 申请日: 1986-10-16
公开(公告)号: CN1012853B 公开(公告)日: 1991-06-12
发明(设计)人: 本田充;小池淳;小川恭介;村井启一 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G5/082 分类号: G03G5/082;G03G5/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘建国
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 含有 球形 凹痕 基底 表面 定型 多层 光敏 元件
【权利要求书】:

1、一种含有球形凹痕基底表面的无定形硅多层光敏元件包括基底和基底上的光接收层,所述光接收层具有光敏层具有光敏层和表面层,其特征在于所述光敏层是由含有硅原子和至少包含有或者锗原子或者锡原子其中一种原子的无定形材料所构成,所述表面层是由包含有硅原子和至少还包含有从氧原子,碳原子和氮原子中挑选出的一种原子的无定形材料所组成,所述基底具有由许多球形凹痕构成的凸凹不平的表面,球形凹痕的周边相接,其曲率半径R和宽度D满足下式:0.35≤D/R,D≤500μm,光带隙在所说的光敏层和所说的表面层之间的界面上完全匹配。

2、一种按照权利要求1所述的光敏元件,其中光敏层包含从氧原子,碳原子和氮原子中挑选出来的至少一种原子。

3、一种按照权利要求1或2所述的光敏元件,其中光敏层包含属于元素周期表第Ⅲ或Ⅴ族的控制导电率元素的原子。

4、一种按照权利要求1或2所述的光敏元件,其中光敏层具有多层结构。

5、一种按照权利要求4所述的光敏元件,其中光敏层具有一层包含属于元素周期表第Ⅲ或Ⅴ族的控制导电率的元素的原子的电荷注入抑制层,作为其中的一个分层。

6、一种按照权利要求4或5所述的光敏元件,其中光敏层具有一层阻挡层作为其中的一个分层。

7、一种按照权利要求1或2所述的光敏元件,其中球形凹痕具有同一曲率半径。

8、一种按照权利要求1或2所述的光敏元件,其中球形凹痕具有同一曲率半径和同一宽度。

9、一种按照权利要求1或2所述的光敏元件,其中球形凹痕是通过让许多刚性硬球自然地下落在基底表面上而形成的。

10、一种按照权利要求1或2所述的光敏元件,其中球形凹痕是通过让几乎有相同直径的刚性硬球,从几乎相同的高度上,自然地下落在基底表面上而形成的。

11、一种按照权利要求1或2所述的光敏元件,其中基底是一种金属基体。

12、一种使用权利要求1所述的光敏元件的电子摄影方法,包括

(1)给所述光接收元件提供一个电场,以及

(2)给所述光接收元件提供带有信息的电磁波,从而形成静电图象。

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