[其他]光学传感器

权利要求书

1、一种光敏二极管单元，包括构成阴极的第一层n-型材料和构成阳极的第二层P⁺型材料，该第二层位于第一层之上，是一种能透过光能的材料，该光敏二极管单元的特征在于，所述的第一层由氢化非晶硅制作而成，在经受上述光能照射后，它变成良导电体。

2、根据权利要求1所定义的光敏二极管单元，其特征在于，上述的第二层是由注入至上述第一层中的P⁺材料所构成。

3、根据权利要求1所定义的光敏二极管单元，其特征在于，上述的第二层由透明金属所构成，从而在结点处形成肖特基势垒，将所述的第一层和第二层分开。

4、根据权利要求1，2，或3所定义的光敏二极管单元，其特征进一步在于，其中包括一个第一金属化层，它在上述第一层下面形成阴极接点;还包括一个第二金属化层，它在上述第二层上面形成阳极接点，并具有一个或多个开孔，以便所述的第一层和第二层能接受光照。

5、根据权利要求2所定义的光敏二极管单元，其特征进一步在于，在上述的第二层上面有一个高温玻璃层。

6、根据权利要求1，2，或3所定义的光敏二极管单元，其特征进一步在于，在上述的第一层和第二层下面，有一氧化物衬底层。

7、根据权利要求1，2，或3所定义的光敏二极管单元，其特征进一步在于，在上述的第一层和第二层下面，有一高温玻璃衬底层。

8、一种根据权利要求1所定义的多个光敏二极管单元组成的光敏二极管阵列，其特征在于，该阵列排列成矩阵形式，而矩阵是由第一组列导体和第二组位于上述列导体之上的行导体组成，上述二极管单元中的各个二极管位于相应的所述行导体和列导体交叉点处，上述二极管单元中每个二极管阴极与相应的列导体相连，而其阳极与相应的行导体相连。

9、根据权利要求8所定义的光敏二极管阵列，其特征进一步在于，它是一种借助于上述的行导体和列导体寻址二极管单元中各个二极管的装置，同时也是探测上述被寻址单元中预定单元的光导并产生响应该光导的图象输出信号的装置。

10、根据权利要求9所定义的光敏二极管阵列，其特征在于，上述的寻址装置是由将上述各个行导体接地的第一个多路开关和将上述各个列导体接至所述探测器装置的另一个多路开关以及逻辑控制电路所组成，逻辑控制电路的作用是选择接通上述多路开关预定的一路，使得上述二极管单元中的各个单元能依次与地和所述探测装置串接，从而达到寻址目的。

11、根据权利要求10所定义的光敏二极管阵列，其特征在于，所述的探测器装置由一个连接至上述的另一多路开关的反向差分放大器组成，该放大器用于放大当所述二极管单元中某一单元被光照射后由于光导作用而产生的电流信号，并产生对应的上述图象输出信号。

12、一种制作光敏二极管单元的方法，其特征在于包括以下步骤：

（a）沉积和腐蚀一层第一金属化层，

（b）在上述的金属化层上面沉积和腐蚀一层n-型氢化非晶硅，形成上述二极管单元的阴极部分，

（c）将P⁺材料注入上述n-型层的预定部分，形成上述二极管单元的阳极部分，

（d）再沉积和腐蚀另一金属化层，用于连接上述P⁺注入部分，

（e）将上述的第一和另一金属化层分别同外部阴极和阳极接点连接起来。

13、根据权利要求12所定义的方法，其特征进一步在于还包括以下步骤，即在沉积上述第一金属化层之前，先沉积和腐蚀一层n⁺多晶硅，从而在上述的第一层和n-型之间形成欧姆接触。

14、根据权利要求12或13所定义的方法，其特征进一步在于它还包括下述步骤：在上述n-型层上面沉积和腐蚀一层第二金属化层，从而在它们之间形成一肖特基势垒，另外，在预先沉积好的上述各层整个外面沉积一层高温玻璃，经过上述的高温玻璃，形成连接上述第二金属化层和另一金属化层的接点。