[其他]超低温烧结PNN压电陶瓷及其制造工艺无效

专利信息
申请号: 86108741 申请日: 1986-12-25
公开(公告)号: CN86108741B 公开(公告)日: 1988-04-06
发明(设计)人: 桂治轮;高素华;李龙土;张孝文 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L41/18 分类号: H01L41/18;H01L41/22;C04B35/49
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 王兵,段明星
地址: 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 超低温 烧结 pnn 压电 陶瓷 及其 制造 工艺
【权利要求书】:

1、一种铌镍-锆钛酸铅为材料的超低温烧结压电陶瓷,其特征在于基料组成为Pb1-xCdx(Ni1/3Nb2/3yZrzTiwO3+q1wt%MnO2+q2wt%SiO2+q3wt%Pb3O4,其中

0.025≤x≤0.08,0.05≤y≤0.25,0≤≤0.60,

0.10≤w≤0.80,y++w=1,

0<q1≤1.0wt%,0<q2≤1.0wt%,0<q3≤4.0wt%。

2、一种制造权利要求1所述的超低温烧结压电陶瓷的工艺,其特征在于用普通化工原料二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、四氧化三铅(Pb3O4)、二氧化锰(MnO2)、醋酸镍(Ni(C2〉H3OO)2·4H2O)、碳酸镉(CdCO3)、二氧化硅(SiO2),按权利要求1所述化学式配料,混合磨细后过60~80目,经750℃~850℃予烧保温1~2小时,粉碎后磨细,过200目筛得瓷料,把这种瓷料干压成型为园片,在炉中敞开烧成,烧成温度为840℃~1000℃,保温时间为1-4小时。

3、按照权利要求2所说的制造超低温烧结压电陶瓷工艺,其特征在于烧成温度为860℃~900℃。

4、按照权利要求2,3所说制造超低温烧结压电陶瓷工艺,其特征在于所说的普通化工原料为二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、四氧化三铅(Pb3O4)、二氧化锰(MnO2)、氧化镍(NiO)、氧化镉(CdO)、二氧化硅(SiO2)。

5、一种制造权利要求1所述的超低温烧结压电陶瓷的工艺,其特征在于用普通化工原料二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、四氧化三铅(Pb3O4)、二氧化锰(MnO2)、醋酸镍(Ni(C2H3OO)2·4H2O),碳酸镉(CdCO3)、二氧化硅(SiO2),按权利要求1所述化学式配料,混合磨细后过60~80目,经750℃~850℃予烧保温1~2小时,粉碎后磨细,过200目筛得瓷料,把这种瓷料干压成园片,将园片放在坩埚中密闭盖烧,烧成温度范围为840℃~1000℃,保温时间为1~4小时。

6、按照权利要求5所说的制造工艺,其特征在于烧成温度范围为860℃~900℃。

7、按照权利要求5、6所说的制造工艺,其特征在于所说的普通化工原料为二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、四氧化三铅(PbO)、二氧化锰(MnO2)、氧化镍(NiO)、氧化镉(CdO)、二氧化硅(SiO2)。

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