[其他]磁性传感的方法及装置无效

专利信息
申请号: 86108777 申请日: 1986-12-13
公开(公告)号: CN86108777A 公开(公告)日: 1987-07-08
发明(设计)人: 贝弗利·R·古奇;罗杰·W·伍德;雷克斯·尼德迈耶 申请(专利权)人: 安佩克斯公司
主分类号: G11B5/187 分类号: G11B5/187
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 肖掬昌
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁性 传感 方法 装置
【权利要求书】:

1、在第一个磁性材料体及具有磁路的第二个磁性材料体之间耦合确定信息的磁通的装置,其特征在于:具有一个设有传感区域的第三个磁性材料体,它在磁性上贴近地设置入或放置在所述第一个磁性材料上,用于向或从该磁性材料体耦合磁通,并且它有一部分在磁性上贴近地放置在所述第二个磁性材料中所述磁路上,以产生向着或来自该磁路的磁通的耦合。

2、权利要求1中的装置,其中所述第三个材料体在磁性上贴近地放置在磁性材料中的一个机械缝隙处,该缝隙产生从所述材料上发送出的磁通并在所述第三个材料体中形成所述传感区域。

3、权利要求1及2中任一个权利要求的装置,其中所述第三材料体包含了磁导率明显不同的相邻区域,用来构成所述的传感区域。

4、权利要求3的装置,其中所述相邻区域中的一个是磁饱和的,而另一个是不饱和区域。

5、权利要求3的装置,其中所述磁导率明显不同的相邻区域在两者之间具有一个陡的磁导率梯度。

6、权利要求1至5中任一权利要求的装置,其特征在于:设置了偏磁控制装置用于在所述第三个材料体中产生磁通以提供所述传感区域。

7、权利要求1至6中任一权利要求的装置,其中所述第一个及第二个磁性材料体同时地在磁性上贴近所述的第三个磁性材料体,并且在这时所述的第一及第二材料体之间具有相对的运动,另外的特征为:在所述运动期间所述第三个材料体定位在所述第一及第二材料体之间。

8、权利要求1至7中任一权利要求的装置,其特征为:设置了改变在所述第三个材料体中的所述传感区域位置的装置。

9、权利要求8的装置,其特征在于:所述改变在所述第三个材料体中的所述传感区域位置的装置沿着在该材料体中确定的路经周期性地扫描所述传感区域的位置。

10、权利要求1至9中任一权利要求的装置,其特征在于:在所述第一及第三个材料体之间耦合磁通时,所述第三个材料体至少与所述第一及第二材料体中的一个相接触。

11、权利要求4的装置,其中所述的未饱和区域通常是没有磁通的。

12、传递由两个磁性材料体之间的磁通确定的信息的方法,其特征为其有下列步骤:

在所述的用于向或从另一个所述材料体耦合磁通的所述一个材料体中形成一个传感区域,所述的传感区域形成在所述一个材料体的一个位置上,该所述材料体中没有机械缝隙;及

将所述具有所述传感区域的一个材料体放置在所述另一个材料磁性上与其贴近的位置上,这时所述的两个材料体之间的磁通有理想的耦合。

13、权利要求12中的方法,其中所述另一磁性材料体是一个比所述的一个磁性材料体具有更高矫顽磁力的磁性存储介质。

14、权利要求12中的方法,其中所述的另一个磁性材料体是一个传感器的磁芯,该磁芯具有的磁导率一般地等于或大于所述一个磁性材料的磁导率。

15、权利要求12至14中任一个权利要求的方法,其特征在于:在所述一个材料体中形成一个传导区域的所述步骤中,包括在所述一个材料体中提供具有明显区别的磁导率的区域。

16、权利要求15中的方法,其特征在于:在所述一个材料体中形成传导区域的所述步骤中,包括在一个区域中产生磁饱和而至少一个与其相邻的区域是不饱和的。

17、权利要求15中的方法,其特征在于:所述磁导率明显不同的相邻区域在其中间具有一个陡的磁导率梯度。

18、权利要求12至17中的任一权利要求的方法,其特征在于:包括沿着所述一个材料体中确定的路径改变所述传感区域位置的步骤。

19、权利要求11至18中的方法,其特征在于:在定位时,所述一个材料体在位置上磁性地贴近第三个磁性材料体,以取得在所述一个材料体及所述第三个材料体之间理想的磁通耦合。

20、一个磁性传感器包括:具有在其中确定一个机械缝隙的两个磁极的一个磁芯;一个短接所述机械缝隙与所述磁芯相邻定位的磁性材料体;及偏磁控制装置,它提供控制磁通使短接所述机械缝隙的所述材料体的一个区域饱和,而在与所述缝隙相邻的该所述材料体上保留了一个不饱和的高导磁的区域,于是在所述材料体中形成了一个传感区域。

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