[其他]直热式远红外辐射元件无效
申请号: | 86200886 | 申请日: | 1986-02-21 |
公开(公告)号: | CN86200886U | 公开(公告)日: | 1986-11-19 |
发明(设计)人: | 邹殿荣 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨市电器元件厂 |
主分类号: | H05B3/20 | 分类号: | H05B3/20 |
代理公司: | 黑龙江省专利服务中心 | 代理人: | 韩卫群 |
地址: | 黑龙江省哈*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直热式远 红外 辐射 元件 | ||
本实用新型属于远红外辐射元件。
远红外加热技术是继近红外加热技术之后发展起来的,我国在70年代后期列为重点推广技术之一,在国外70年代中期日本将此项技术用在油漆膜固化方面。参照日文杂志《涂装涂饰》介绍他们是使用旁热式元件或灯型元件、我国到目前为止仍多使用旁热式元件,这种元件是利用电阻丝发热,将电阻丝装在某种基体中如碳化硅板、圆钢管或陶瓷内,热量通过管中填充物和基体间接地向外发散,故称为旁热式。这种元件有下列不足之处:电阻丝产生的热量只能通过填充物和基体传到辐射涂层,消耗一定的热量,降低了电能的利用率。目前我国还有一种将导电层烧结在陶瓷管基体内壁上,在陶瓷管外壁上涂有远红外涂层,这种元件在陶瓷管壁上仍要消耗若干热量,并且工艺过程复杂,使用原料如耐高温陶瓷管和涂层材料的加工工艺要求高,(导电层脱落后其远红外元件不能使用)。
本实用新型的目的在于提供一种电能利用率高、工艺简单、辐射涂层附着牢固,使用电源范围广,易于制造的远红外元件。
本实用新型的远红外元件的基体是采用薄钢板或金属粉末压制板即基体本身就是导电体和发热体。基体的表面经搪瓷工艺初工序处理后涂复粘结剂,再涂搪瓷釉料,釉料除按常规配方外要加入30~35%的三氧化二铬(Cro)或铁锰酸稀土钙(RecaMnFeo)提高发射系数ε然后再经高温900~1000℃烧结而成,达到表面釉层有光泽。此元件外型做成多种型状,即将板材冲压成锯齿波形、方波形和圆波形等。
本实用新型因其侧面为偏平形、占空间小可使加热设备达到体积小重量轻的要求,再者因为基体表面烧上搪瓷釉所以不怕水、附着性强、釉层不脱落、表面绝缘性良好、清洁、易洗刷,此元件在通电工作时不发红、不变色、没有可见光、表面温度足以达到远红外辐射要求而节省电能,节电率与电阻丝元件比可提高15~45%。
元件出厂时背面衬有石棉水泥板,元件安装时可带板使用也可以去掉衬板。
附图说明:
图1直热式远红外辐射元件结构图。
其中1基体
2搪瓷釉料辐射涂层
3电源接点
4衬板
图2a基体形状为锯齿波形。
图2b基体形状为圆波形。
图2c基体形状为方波形。
下面是本实用新型最佳实施例:
本实施例包括基体〔1〕、搪瓷釉料辐射涂层〔2〕及位于基体两端的电源接点〔3〕,其中基体〔1〕是由金属薄钢板或金属粉末板制成。搪瓷釉料辐射涂层〔2〕除选择与基体材料澎涨系数相似的搪瓷釉料外又在釉料中掺入产生远红外线波长适合烘干技术要求的波段在2.5~15微米范围内的涂料如加入30~35%的三氧化二铬,若工业用大功率元件可 入铁锰酸稀土钙。首先将基体表面经搪瓷工艺初工序处理后,再涂粘结剂,然后涂上述的搪瓷釉料混合剂经高温900~1000℃烧结而成。
使用时可将220V(或110V)交、直流电源直接接到电源接点〔3〕上,基体即是导电体又是远红外发射体。
基体〔1〕的形状:正面形状可为多样等幅波形,如锯齿形、圆峰波形、方波形等。侧面为偏平形,外形尺寸功率不同而异,长度为350~850毫米,宽度250~500毫米,厚度0.5~10毫米。
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