[其他]硅光电池照度传感器无效
申请号: | 86204091 | 申请日: | 1986-06-14 |
公开(公告)号: | CN86204091U | 公开(公告)日: | 1987-07-15 |
发明(设计)人: | 吴荣华 | 申请(专利权)人: | 吴荣华 |
主分类号: | G01D5/30 | 分类号: | G01D5/30;G01J1/02 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 周佩中 |
地址: | 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电池 照度 传感器 | ||
本实用新型涉及硅光电池的照度传感器。
为了对光进行测量以及进一步控制光照度,都必须借助于测光元件,也即用照度传感器接收光信号,再进行测量和控制。由于人眼对不同波长的可见光的感受性是不同的,国际照明委员会(C1E)推荐了一个光谱光效率曲线(参见1979年科学出版社出版,荆其诚等编著的色度学)见图1。人们也知道,可以利用光电池的光电效应,将光信号转换成电信号予以接收并处理。一般的硒光电池其光效率曲线和CIE推荐的光效率曲线有较大的差异,而光度单位是根据人眼的视觉感受性规定的,只有侧光元件的特性和人眼的视觉越接近,所得的结果才越准确。所以如以硒光电池作为测光元件,则必须对它进行“人眼校正”或“颜色校正”,从而减小测量误差。对于硒光电池,经校正后特性可以非常接近CIE推荐的曲线。见图1。然而硒光电池也有缺点,硒光电池的最大弱点是光老化寿命短(见程春生无线电杂志81年10,11期)。在照度1000勒克斯的阳光连续照射1000小时后,其光电转换效率将降低三分之一,所以一般在短时间使用的测量仪器上使用比较合适,如在长期受光照的光照度控制仪上使用,特别是在强光场合就不够理想,为了延长使用期,不用时要加罩避光。此外,硒光电池的光电灵敏度低,体积也较大。与此相反,硅光电池则具有光电灵敏度高,体积小,重量轻,寿命长的特点,但是硅光电池接收的光谱峰值在0.9微米左右,属近红外线范围,其光谱效率曲线见图2,不仅和C1E推荐曲线差别大,对其进行“人眼校正”也比较困难,目前采用硅光电池作测光元件的仪器,一般是在仪表上设有多挡量程的装置加以弥补。且对硅光电池的温飘尚未采用适当的措施。
根据美国研究报告(建筑光学译文集电气照明分册,中国建筑工业出版社),实现照明自动化,可以节约照明用电20%。因此根据光的照度对照明实现自动控制是节约电能的一个重要途经。
本实用新型的目的是提出一种用硅光电池制成的,经过“人眼校正”具有与CIE推荐的光谱光效率曲线相近似特性的,温飘低的光照度传感器。具有硅光电池体积小,灵敏度高,寿命长、精度高的特点,使其不仅适用于与测光仪器配用,也适合与控光仪器配用。
本实用新型的照度传感器是以如下方式实现的,如图3以硅光电池作感兴元件,用校正滤色器对所述的硅光电池光谱光效率曲线作“人眼校正”,使其特征近似于CIE推荐的光谱光效率曲线。
本实用新型的硅光电池照度传感器具有以下的特点:
具有硅光电池体积小,灵敏度,寿命长和价格低的特点。
具有近似CIE推荐的光谱光效率曲线的特性。
解决了一般硅光电池的温飘缺陷。
特别适合在强光和控光场合下使用。
图1表示硒光电池的光谱效率曲线。
图2表示未校正的硅光电池光谱光效率曲线。
图3表示硅光电池照度传感器的原理图。
图4表示本实用新型硅光电池照度传感器的一实施例的元件连接图。
图5表示本实用新型硅光电池照度传感器的一实施例的结构图。
图6表示本实用新型硅光电池照度传感器的光谱效率曲线。
结合附图说明本实用新型的一个实施例:
图4表示本实用新型硅光电池照度传感器的硅光电池对电气连接图,其中[1]为受硅光电池,[2]为蔽光的硅光电池,对于[1]和[2]这两个硅光电池,可取面积相等(两片面积≤10平方厘米)电性能参数配对的硅光电池,以极性相反的方式并联连接,硅光电池可取北京光电器件厂生产的2CR82,2CR101。对这二个硅光电池,其中一个硅光电池作蔽光处理,蔽光可采用黑色绝缘涂层,如油漆,涂料,沥青涂复的方式蔽光,也可以用不透光材料,如内壁经绝缘处理的金属薄片或不透光的塑料片模制的壳体蔽光。[1]和[2]二个硅光电池邻近装置,可尽管使它们处于温度相同的环境中。
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