[其他]CMOS电路直接触发的可控硅交流控制装置无效

专利信息
申请号: 86206231 申请日: 1986-08-25
公开(公告)号: CN86206231U 公开(公告)日: 1988-02-10
发明(设计)人: 庄建方;许斯乾 申请(专利权)人: 广东省农业机械研究所
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06
代理公司: 广东专利事务所 代理人: 周长久
地址: 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: cmos 电路 直接 触发 可控硅 交流 控制 装置
【权利要求书】:

1、一种可控硅交流控制装置,由CMOS触发电路部分和可控硅部分组成,其特征是:

a、由CMOS电路2的输出端直接触发的可控硅部分为准双向可控硅3,准双向可控硅3由单向可控硅SCR1、SCR2和二极管D2组成,D2的正极与SCR2的阴极K相联后,经负载RZ接交流市电的一端,D2的负极与SCR1的阳极A和SCR2的控制极G相联,SCR1的阴极K和SCR2的阳极A相联后,接交流市电的另一端,CMOS电路2的输出端Q经电阻R2接SCR1的控制极G;

b、准双向可控硅3和双向可控硅SCR3组成复合可控硅4,SCR3的第二电极T2与准双向可控硅3的一端M相联后,经负载RZ接交流市电的一端,SCR3的控制极G接准双向可控硅3的另一端N,SCR3的第一电极T1接交流市电的另一端;

c、CMOS电路2的工作电源由整流二极管D1、电阻R1、稳压二极管DW和电容C组成的整流滤波电路1供给,D1正极接交流市电的一端,D1负极经电阻R1与DW的负极和电容C的正极相联后,接CMOS电路2的正极,CMOS电路2的负极与DW的正极和电容C的负极相联后,接交流市电的另一端。

2、根据权利要求1    所述的可控硅交流控制装置,其特征在于准双向可控硅3或复合可控硅4可以由分立元件组成,也可以组成专用厚膜电路、薄膜电路或集成电路器件。

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