[发明专利]一种图象传感器无效
申请号: | 87100057.1 | 申请日: | 1987-01-06 |
公开(公告)号: | CN1008783B | 公开(公告)日: | 1990-07-11 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/10 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,肖春京 |
地址: | 日本奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图象 传感器 | ||
1、一种图象传感器,其特征在于,该图象传感器包括:
一个衬底;和
配置在所述衬底上的光敏半导体阵列,所述阵列各元件由一半导体层和一对分别配置在所述半导体层上下表面且复盖所述上下表面的第一和第二电极所组成。
2、根据权利要求1的传感器,其特征在于,所述第一和第二电极与所述半导体层彼此重叠。
3、根据权利要求1的传感器,其特征在于,该传感器还包括多个分别与所述第一电极接触的信号引出线。
4、根据权利要求1的传感器,其特征在于,该传感器还包括一层配置在所述阵列元件各相邻元件之间的树脂层。
5、根据权利要求4的传感器,其特征在于,所述树脂层的上部表面不高于所述半导体层的上部表面。
6、根据权利要求4的传感器,其特征在于,所述树脂层与所述半导体层齐平。
7、一种制造由多个传感器元件组成的图象传感器的方法,其特征在于,该方法包括:
制备衬底工序;
在所述衬底上加设电极的工序;
在所述第一电极上敷上光电半导体层的工序;
在所述半导体层上加设第二电极的工序;
用多个掩模在所述安置在分别与传感器元件相对应位置上的第二电极上、一次腐蚀所述第一和第二电极以及所述半导体层的工序。
8、根据权利要求7的方法,其特征在于,该方法还包括制造多个引出所述元件输出用的导线的工序。
9、根据权利要求7的方法,其特征在于,,该方法还包括在所述各元件之间配置树脂层的工序。
10、根据权利要求9的方法,其特征在于,所述衬底是透明的。
11、根据权利要求10的方法,其特征在于,所述树脂层系以所述各个元件作为掩模用光蚀刻法蚀刻负性感光性树脂形成的。
12、根据权利要求11的方法,其特征在于,蚀刻条件系这样选择,使剩余的树脂层与所述半导体层齐平。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的