[其他]高速响应光电转换器及其制造方法

权利要求书

1、一种光电转换器，其特征在于，该光电转换器包括；

一层光电半导体层；

在所述半导体层相对表面上形成并完全遮盖该相对表面的第一和第二电极；

一层在所述半导体层周边形成并防止所述周边暴露的树脂层。

2、根据权利要求1的光电转换器，其特征在于，所述第二电极由铬制成。

3、根据权利要求2的光电转换器，其特征在于，所述半导体层由硅制成。

4、根据权利要求3的光电转换器，其特征在于，该光电转换器还包括由所述第二电极和所述半导体层之间相互作用形成的硅化铬。

5、一种光传感器，其特征在于，该光传感器包括;

一个衬底;

一个在所述衬底上形成的第一电极;

一层在所述第一电极上形成并在空间上限制在所述电极周边范围内的光电半导体层;和

一个在所述半导体层外表面形成并完全遮盖该外表面的第二电极。

6、根据权利要求1的传感器，其特征在于，该传感器还包括一层与所述半导体层周边接触的树脂层。

7、根据权利要求6的传感器，其特征在于，该传感器包括多个成排配置在所述衬底上的光电元件，各光电元件由所述半导体层和所述第一和第二电极组成。

8、根据权利要求7的传感器，其特征在于，所述第一电极还起输出引出线的作用。

9、根据权利要求8的传感器，其特征在于，所述多个光电元件和沿所述排延伸的第二电极一样，共用一个电极。

10、根据权利要求6的传感器，其特征在于，该传感器包括多个在所述衬底上以矩阵的形式配置的光电元件，各光电元件由所述半导体层和所述第一和第二电极组成。

11、根据权利要求10的传感器，其特征在于，配置在所述矩阵各排的光电元件与所述沿该排延伸的第一电极一样，共用一个电极片，同时，配置在所述矩阵各列的光电元件共用延列沿伸的一个电极片。

12、一种制造光传感器的方法，其特征在于，该方法包括：

衬底制备工序;

在所述衬底主表面上形成第一电极的工序;

在所述第一电极上形成光电半导体层的工序;

在所述半导体层上形成第二电极的工序;和

除去超出第一或第二电极延伸的半导体层部分的工序。

13、根据权利要求12的方法，其特征在于，所述衬底由透明窗格玻璃制成，所述方法包括;

在所述衬底上覆盖整个衬底形成光固化层的工序;

以所述半导体层的一层或所述第一或第二电极作为掩模从所述衬底背面用光照射所述衬底以使所述光固化层的较低部分固化的工序;和

除去所述光固化层未固化部分的工序。

14、根据权利要求12的方法，其特征在于，所述半导体层除去工序系以所述第二电极作为掩模，腐蚀所述半导体层进行的。

15、根据权利要求14的方法，其特征在于，在进行所述形成所述第一电极和半导体层工序之后，将半导体层腐蚀成多个第一片条。

16、根据权利要求15的方法，其特征在于，所述第二电极为横过所述第一片条的第二片条。

17、一种制造光电转换器的方法，其特征在于，该方法包括;

衬底制备工序;

在所述衬底上形成第一电极的工序;

在所述第一电极上形成光电半导体层的工序;

在所述半导体层上形成第二电极的工序;

通过所述诸电极往所述半导体层两端施加偏压的工序;和

将所述半导体与所述诸电极隔离成多个光电转换元件的工序。

18、根据权利要求17的方法，其特征在于，所述多个元件组成线性图象传感器的光敏部分。

19、根据权利要求1的光电转换器，其特征在于，所述第一电极系制成透明电极，使入射光可照射到所述光电半导体层上，所述第二电极则制成不透明电极。

20、根据权利要求1的光电转换器，其特征在于，所述第一和/或第二电极系制成透明电极，使入射光可射到所述光电半导体层上。