[其他]再烧结富硼多晶立方氮化硼及其制造方法无效

专利信息
申请号: 87100500 申请日: 1987-01-26
公开(公告)号: CN87100500A 公开(公告)日: 1987-08-19
发明(设计)人: 托马斯·雷蒙德·拉文斯;弗朗西斯·雷蒙德·科里根 申请(专利权)人: 通用电器公司
主分类号: C01B21/064 分类号: C01B21/064
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 罗才希
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烧结 多晶 立方 氮化 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、制造再烧结多晶立方氮化硼的方法包括:

(a)将基本上无催化剂的烧结富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高压/高温装置中,所述的颗粒基本上不含抑制烧结的杂质,

(b)使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述的颗粒进行再烧结的温度和压力的处理,温度低于立方氮化硼再转化的温度,

(c)将所述的压力和温度保持一段足以使富硼立方氮化硼在所述的装置中进行再烧结的时间,

(d)从所述的装置中回收所述的再烧结的多晶立方氮化硼。

2、按照权利要求1的方法,其中所述的压力大于约45千巴而所述的温度从至少约1500℃至低于立方氮化硼的再转化温度。

3、按照权利要求1的方法,其中所述的压力从约45至约80千巴之间。

4、按照权利要求1的方法,其中温度从约1500℃至约2300℃。

5、按照权利要求1的方法,其中压力从约45千巴至约80千巴而温度从1500℃至约2300℃。

6、按照权利要求4的方法,其中压力从约45至80千巴。

7、按照权利要求3的方法,其中所述的富硼立方氮化硼含有附加的含硼化合物。

8、按照权利要求1的方法,其中置于所述装置内的所述立方氮化硼的粒度小于270目。

9、按照权利要求1的方法,其中从所述的装置中回收再烧结的多晶立方氮化硼压块。

10、按照权利要求6的方法,其中在所述的装置中同时制造多份再烧结压块。

11、按照权利要求9的方法,其中将支撑材料放在所述的颗粒旁边,在原位形成支撑的压块。

12、按照权利要求1的方法,其中所述在步骤(a)中的烧结立方氮化颗粒由碾磨烧结立方氮化硼制取。

13、用权利要求1的方法制得的再烧结多晶立方氮化硼。

14、用权利要求10的方法制得的再烧结多晶立方氮化硼压块。

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