[其他]薄膜磁头及其制造方法

权利要求书

1、配置在基底上带有电一磁转换元件的薄膜磁头，其特征为有：

基底；

形成于基底上的第一磁层；

形成于所述第一磁层上的非磁性缝隙层；

在所述缝隙层上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上的螺旋绕组第一导体层；

在所述第一导体层上的第二绝缘层；

螺旋形绕组的第二导体层形成于所述第二绝缘层上，所述第二导体层与所述第一导体层相连接以构成导体线圈，其每圈的中部恰好处于所述第一导体层相应绕组中部之上；

在所述第二导体层上形成第三绝缘层；

第二磁层形成于所述第三绝缘层上，此绝缘层在其前部有一缝隙，所述的缝隙层即插入此层和所述第一磁层之间，上述绝缘层在其后部与所述第一磁层相接；

由基本与基底表面相平行的面，和将第一、第二导体层相应上表面边缘连接起来的连线所构成的角度，基本等于由平行于基底表面的面和第二磁层侧斜边所夹的角。

2、形成于一基底上，带有电一磁转换元件的薄膜磁头，其特征为有：

基底;

形成于基底上的第一磁层;

形成于所述第一磁层上的非磁性缝隙层，在所述第一磁层边缘后面的位置处该缝隙层有一边缘;

在所述缝隙层上形成第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成螺旋绕组的第一导体层;

在所述第一导体层上形成第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上形成螺旋绕组的第二导体层，所述第二导体层与所述第一导体层相连接以构成导体线圈;

在所述第二导体层上形成第三绝缘层;

在所述第三绝缘层上形成第二磁层，此第二磁层在其两端与所述第一磁层相连接;

所述缝隙层的边缘构成了由所述第一和第二磁层形成的磁路的缝隙。

3、根据权利要求2的薄膜磁头，其特征为所述第二导体层每一绕组的中部，恰好处于所述第一导体层相应绕组间的各中部之上。

4、根据权利要求3的薄膜磁头，其特征为由基本与基底表面相平行的面，和连接第一、第二导体层相应上表面边缘的连线所夹的角，基本等于由与基底表面相平行的面和第二磁层侧斜边所夹的角。

5、制作薄膜磁头的方法，其特征为包括下述步骤：

在基底上形成第一磁层;

在所述第一磁层上形成非磁性缝隙层，所述非磁性缝隙层有一边缘，它位于所述第一磁层一边缘后面的位置处;

在所述缝隙层上形成第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上形成螺旋形绕组的第一导体层，

在所述第一导体层上形成第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上形成螺旋形绕组的第二导体层，所述第二导体层与所述第一导体层相连接以构成导体线圈;

在所述第二导体层上形成第三绝缘层;

在所述第三绝缘层上形成第二磁层，该磁层在其两端与所述第一磁层相连接;

对所述元件的整个叠层，从其与录制介质相对的一侧进行研磨，直至显露出所述缝隙层。

6、根据权利要求5的制作薄膜磁头的方法，其特征为所述第二导体层的每一绕组的中部，恰好处于所述第一导体层相应绕组间每一中部之上。

7、根据权利要求5的制作薄膜磁头的方法，其特征为由基本平行于基底表面的面和连接第一、第二导体层相应上表面边缘的连线所夹的角，基本上等于由平行于基底表面的面和第二磁层侧斜边所夹的角。

8、制作薄膜磁头的方法，其特征为包括下述步骤：

在基底（1）上形成第一磁层（30）;

在所述第一磁层上形成非磁性缝隙层（4）;

在所述缝隙层上形成第一绝缘层（5）;

在所述第一绝缘层上形成螺旋形绕组的第一导体层（6）;

在所述第二导体层上形成第三绝缘层（9），并通过腐蚀使其形成线路图案;

利用所述第三绝缘层作为掩模对所述缝隙层进行腐蚀，以使它形成预定的图案;

对所述第三绝缘层进行腐蚀以使它的边缘从缝隙层的边缘缩后;

在所述第三绝缘层和所述第一磁层上形成第二磁层（100）;

对所述元件的整个叠层，从其与录制介质相对的一侧进行研磨，直至显露出所述的缝隙层。

9、根据权利要求8的制作薄膜磁头的方法，其特征为所述第二导体层的各绕组中部，恰好处于所述第一导体层相应绕组间的每一中部之上。

10、根据权利要求8的制作薄膜磁头的方法，其特征为由基本平行于基底表面的面和连接第一、第二导体层相应上表面边缘6c和8c的连线所夹的角（θ₁），基本等于由平行于基底表面的面和第二磁层侧斜边所夹的角（θ₂）。