[发明专利]光接收元件

权利要求书

1、包括基底和淀积在该基底上的光接收层的光接收元件，所述光接收层包括：(a)具有光电导性的1至100μm厚的第一层和(b)0.003至30μm厚的从基底数起的第二层；所述第一层(a)包括(i)含有作为主要成分的硅原子的非晶材料，(ii)1至6×10⁵原子ppm的锗原子，(iii)由氢原子及卤素原子中选出的总量为0.01至40原子%至少一种原子，(iv)从周期表第Ⅲ族或Ⅴ族元素中选出的导电性控制元素，以及(v)从由氧原子和氮原子构成的组中选出的至少一种原子，其中所述锗原子在厚度方向的分布使其浓度在邻近基底处增加而在靠近与所述第二层(b)的界面处减小或近似为零，其中所述第二层(b)包括：(b-i)含硅原子的非晶材料，(b-ii)0.001至90原子%的碳原子，以及(b-iii)1.0至1×104原子ppm的从周期表第Ⅲ或v族元素中选出的至少一种原子，而且不含锗原子。

2、根据权利要求1的光接收元件，其中基底是电绝缘的。

3、如权利要求1的光接收元件，其中基底是导电的。

4、如权利要求1的光接收元件，其中基底是铝合金。

5、如权利要求1的光接收元件，其中基底是柱形的。

6、如权利要求1的光接收元件，其中导电性控制元素在第一层中沿厚度方向均匀分布。

7、如权利要求6的光接收元件，其中第一层中导电性控制元素的量为0.001至3000原子ppm。

8、如权利要求1的光接收元件，其中第一层中导电性控制元素的浓度从第二层一侧的最大值向基底一侧的最小值减小。

9、如权利要求8的光接收元件，其中第一层所含导电性控制元素与第二层中所含选自Ⅲ族和Ⅴ族的原子相同。

10、如权利要求8的光接收元件，其中第一层中导电性控制元素的量在0.001至3000原子ppm的范围内。

11、如权利要求1的光接收元件，其中第一层中导电性控制元素的浓度在基底一侧较高而在与第二层的界面处较低。

12、如权利要求1的光接收元件，其中第一层中导电性控制元素浓度在厚度方向上于邻近基底处较高而在邻近与第二层的界面处基本为零。

13、如权利要求1的光接收元件，其中第一层有一邻近第二层的部分层区，该部分层区包含0.001至3000ppm的均匀分布导电性控制元素。

14、如权利要求1的光接收元件，其中第一层包含沿厚度方向均匀或不均匀分布的（O，N）原子。

15、如权利要求1的光接收元件，其中第一层包含沿厚度方向不均匀分布的（O，N）原子。

16、如权利要求15的光接收元件，其中（O，N）原子在厚度方向上的浓度在邻近基底处高而在邻近与第二层界面处低或基本为零。

17、如权利要求15的光接收元件，其中第一层中（O，N）原子浓度从第二层一侧的最大值减小到基底一侧的最小值。

18、如权利要求1的光接收元件，其中第一层有含（O，N）原子的部分层区。

19、如权利要求18的光接收元件，其中所述部分层区邻近基底并含0.001至50原子%的（O，N）原子。

20、如权利要求18的光接收元件，其中所述部分层区邻近第二层并含0.001至50原子%的（O，N）原子。

21、如权利要求18的光接收元件，其中所述部分层区的厚度至少为第一层厚度的40%且部分层区中所含（O，N）原子少于30原子%。