[发明专利]光电转换器件的制造方法

权利要求书

1、一种消除光电转换器件中缺陷的方法，所述光电转换器件具有第一和第二电极，其间夹有含pin结的半导体层，其特征在于该方法为：

在所述第一和第二电极间串联一电压源和一电流计；和

使所述电压源通过所述第一和第二电极将低于破坏电压的一反向电压加到所述半导体层上，并使通过所述半导体层的电流受到监测，以便确认指示该半导体层缺陷的烧毁程度而造成的电流下降情况。

2、按权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述消除步骤中逐渐提高所述反向电压。

3、按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层是由非单晶半导体制成的。

4、按权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括这样的步骤：在完成消除步骤后，再利用所述电极布置和施加反向电压的电压源之间的连接线路来检测所述转换器件的电特性，以便确定消除该器件中缺陷的效果。

5、按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述转换器件是由多个独立的光电转换单元组成的，而这些单元是彼此串联连接的。

6、按权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述的每个单元都分别施加一个电压。

7、按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的电极布置包括一个直接与所述半导体层表面接触的透明的导电氧化物层。

8、按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的电极布置包括一个直接与所述半导体层表面接触的透明的导电氮化物层。

9、按权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述的半导体层施加电压的步骤中，同时用连接于所述第一和第二电极之间的电压计对所施加的电压进行监测。