[发明专利]具有第一层A-Si(H，X)和第二层A-SiC(H，X)的非均匀分布和均匀分布导电性控制的光接收元件

权利要求书

1、一种光接收元件，包括衬底和该衬底上的光接收层，其特征在于：所述光接收层包括厚度为1-100μm的具有导电性的第一层(Ⅰ)和厚度为3×10^-3-30μm的第二层(Ⅱ)，所述第一层(Ⅰ)由含有以硅原子为主要组分的非晶材料和总量为1×10^-2-40原子百分比的从氢原子和卤素原子中选出的至少一种原子组成，並且含有沿层厚度方向处于非均匀分布状态的导电性控制元素的原子，所述第二层(Ⅱ)由含有硅原子，1×10^-3-90原子百分比的碳原子以及总量为1×10^-2-40原子百分比的从氢原子和卤素原子中选出的至少一种原子的非晶材料组成，並且含有沿层厚度方向处于非均匀分布状态的导电性控制元素的原子。

2、按照权利要求1所述的光接收元件，其中上述第一层（Ⅰ），在整个层区内，还包括沿着厚度方向处于均匀分布状态的锗原子。

3、按照权利要求1所述的光接收元件，其中上述第一层（Ⅰ）在邻近衬底的部分层区内还包括沿着层的厚度方向处于非均匀分布状态的锗原子。

4、按照权利要求1所述的光接收元件，其中在第一层（Ⅰ）内的控制导电性元素与在第二层（Ⅱ）内的控制导电性元素相同。

5、按照权利要求1所述的光接收元件，其中在上述第一层（Ⅰ）内的控制导电性元素与在第二层（Ⅱ）内的控制导电性元素不同。

6、按照权利要求1所述的光接收元件，其中在上述第一层（Ⅰ）内包含的控制导电性的元素是选自周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素族中的元素形成的。

7、按照权利要求6所述的光接收元件，其中上述第一层（Ⅰ）包含控制导电性元素，基本上沿着该层厚度方向，位于邻近衬底的部分层区内。

8、按照权利要求6所述的光接收元件，其中上述第一层（Ⅰ）包含控制导电性元素，基本上沿着该层厚度方向，位于邻近上述第二层（Ⅱ）的部分层区内。

9、按照权利要求1所述的光接收元件，其中在上述第二层（Ⅱ）中包含的控制导电性元素是选自周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素族中的元素形成的。

10、按照权利要求9所述的光接收元件，其中上述第二层（Ⅱ）中控制导电性元素的含量为1.0-10⁴原子ppm。

11、一种使用如权利要求1所述光接收元件的电子摄象方法，包括如下步骤：

（a）对所述光接收元件施加电场;

（b）对所述光接收元件施加电磁波，使之形成静电图象。